IRFIZ34VPBF 时间：2025/12/26 19:56:41 阅读：11

IRFIZ34VPBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机控制、DC-DC转换器以及各种高效率功率管理场合。该器件采用先进的沟道技术制造，具有低导通电阻和优良的开关特性，能够在高频率下高效运行，同时降低传导损耗。IRFIZ34VPBF属于Power MOSFET产品系列，专为满足汽车级可靠性标准而设计，适用于严苛的工作环境，包括高温和高湿度条件。该器件符合RoHS环保标准，并采用TO-220AB封装形式，具备良好的散热性能和机械稳定性，便于安装在散热片上以增强热管理能力。其引脚配置为三引脚结构：栅极（G）、漏极（D）和源极（S），其中漏极连接到底座，适合多种电路拓扑结构的应用需求。由于其出色的电气性能和坚固的封装设计，IRFIZ34VPBF常用于工业控制、汽车电子系统、照明驱动及消费类电源设备中。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：55 V
　　最大连续漏极电流（ID）：68 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：270 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大12.8 mΩ @ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.1 V，范围1.8 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：典型值2200 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：典型值390 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值28 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：TO-220AB
　　安装类型：通孔

特性

IRFIZ34VPBF采用高性能沟道MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（RDS(on)），这显著降低了在大电流应用中的功率损耗，提高了整体系统效率。其最大导通电阻仅为12.8毫欧姆，在VGS=10V条件下能够有效减少发热，允许更高的电流承载能力而不至于过热损坏。这种低RDS(on)特性使其特别适用于电池供电系统、电动工具、无人机动力系统以及太阳能逆变器等对能效要求较高的场景。
　　该器件具有优异的开关速度和动态响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），可实现快速开启与关闭，从而减少开关过程中的能量损耗。这对于高频开关电源（如同步整流Buck/Boost转换器）尤为重要，有助于提升电源转换效率并减小外围滤波元件的尺寸。此外，其反向恢复时间较短（典型值28ns），配合体二极管使用时可降低换流过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），增强系统的稳定性和可靠性。
　　IRFIZ34VPBF具备良好的热稳定性和宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），确保其在极端环境下仍能可靠运行，尤其适用于汽车电子应用，如车载充电机（OBC）、车身控制模块、雨刷电机驱动和空调风扇控制等。其TO-220AB封装不仅提供了优良的散热路径，还支持简单的PCB布局和维修更换。同时，该器件通过AEC-Q101车规级认证，保证了在振动、湿热、温度循环等恶劣工况下的长期可靠性。内置的雪崩能量保护能力也增强了其抗电压冲击的能力，提升了系统鲁棒性。

应用

IRFIZ34VPBF广泛应用于各类中高功率开关电路中，常见于DC-DC降压或升压转换器，用于服务器电源、通信设备电源模块以及工业自动化控制系统中的电压调节单元。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效同步整流器的理想选择，尤其是在多相VRM（电压调节模块）设计中发挥关键作用。
　　在汽车电子领域，该器件被用于发动机舱内的多种负载驱动，例如燃油泵控制、节气门电机驱动、电子助力转向（EPS）系统的辅助电源管理以及LED前大灯驱动电路。由于其具备AEC-Q101认证和耐高温特性，非常适合部署在靠近发动机或排气系统的高温区域。
　　此外，IRFIZ34VPBF也适用于电动自行车、电动滑板车和其他轻型电动车的电机控制器中，作为H桥电路中的开关元件，实现正反转控制和再生制动功能。在家用电器方面，可用于洗衣机、冰箱压缩机和空调变频模块中，提高家电产品的能效等级。同时也可用于不间断电源（UPS）、储能系统和光伏汇流箱中的功率切换与保护电路。