IRFIZ24GP 时间：2025/5/27 16:30:23 阅读：15

IRFIZ24GP是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由Vishay公司生产。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于多种开关电源、电机驱动和负载切换等应用场合。
　　IRFIZ24GP采用TO-220封装形式，其设计目标是提供高效率和可靠性，同时保持较小的尺寸以便于电路板布局和散热管理。

参数

最大漏源电压：100V
　　最大连续漏极电流：37A
　　导通电阻（典型值）：6.5mΩ
　　栅极电荷：48nC
　　总耗散功率（Tc=25℃）：190W
　　工作结温范围：-55℃ to +175℃
　　存储温度范围：-55℃ to +150℃

特性

IRFIZ24GP具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力，支持高达37A的连续漏极电流，适合大功率应用。
　　3. 快速开关性能，得益于其较低的栅极电荷和输入电容，可降低开关损耗。
　　4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
　　5. TO-220封装易于安装，并具备良好的散热性能。
　　6. 可靠性高，能够在较宽的工作结温和环境温度范围内正常运行。

应用

IRFIZ24GP适用于以下应用场景：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的高频开关元件。
　　2. 各类电机驱动电路，如直流无刷电机控制器。
　　3. 负载切换和保护电路，用于电池管理系统或汽车电子设备。
　　4. 逆变器和不间断电源（UPS）中的功率级组件。
　　5. 工业自动化控制和电力转换系统中的功率开关。
　　6. 其他需要高效功率转换和控制的场合。