IRFIZ24 时间：2025/12/26 21:20:39 阅读：11

IRFIZ24N是一种N沟道功率MOSFET，由Infineon Technologies（英飞凌）生产，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效低导通电阻功率开关的场合。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有优异的开关性能和热稳定性，适用于高密度电源设计。IRFIZ24N通常封装在TO-252（DPAK）或类似表面贴装封装中，便于在PCB上安装并具备良好的散热能力。该MOSFET专为低电压应用优化，能够在低栅极驱动电压下实现较低的导通电阻，从而减少传导损耗，提高系统效率。其坚固的结构设计使其能够承受较高的瞬态电流和热应力，适合工业、汽车和消费类电子设备中的功率管理需求。此外，IRFIZ24N具备雪崩能量耐受能力，增强了在感性负载切换过程中的可靠性，降低了因电压尖峰导致器件损坏的风险。由于其高性能和高可靠性，IRFIZ24N成为许多现代电源拓扑结构中的首选功率开关器件之一。

参数

型号：IRFIZ24N
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）：13A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：52A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V, ID=6.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS=4.5V, ID=6.5A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：470pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间（trr）：38ns
　　最大功耗（PD）：50W @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-252 (DPAK)

特性

IRFIZ24N采用英飞凌先进的沟槽栅极技术，显著提升了载流子迁移率，从而实现了极低的导通电阻RDS(on)，在高电流应用中有效降低功率损耗。该器件在VGS=10V时RDS(on)典型值仅为28mΩ，在4.5V驱动电压下仍可保持35mΩ的低阻状态，使其兼容3.3V和5V逻辑驱动电路，适用于由微控制器或专用驱动IC直接控制的场景。其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）特性有助于加快开关速度，减少开关损耗，提升整体能效，特别适合高频开关应用如同步整流、DC-DC降压变换器等。器件具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能，结温可达+175°C，确保在恶劣工况下的可靠运行。IRFIZ24N还内置了快速体二极管，反向恢复时间短（trr=38ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了在桥式电路或感性负载切换过程中产生的电磁干扰和电压振荡风险。该MOSFET通过了AEC-Q101汽车级认证，具备高抗雪崩能力，能够承受一定的重复性雪崩能量，增强了系统鲁棒性。其TO-252封装具有优良的散热性能，支持表面贴装自动化生产，同时可通过散热焊盘连接至PCB地层以增强热传导。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品设计。这些综合特性使IRFIZ24N在电源管理领域展现出卓越的性能与可靠性。
　　在实际应用中，IRFIZ24N表现出良好的动态响应能力和长期稳定性，尤其在电池供电设备、电动工具、LED驱动电源和工业控制模块中广泛应用。其低门槛电压和宽工作温度范围使其适应多种环境条件，从消费类便携设备到严苛的工业现场均能稳定工作。

应用

IRFIZ24N广泛用于各类中低电压功率转换系统中。常见应用包括开关模式电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC升压/降压转换器、电机驱动电路、逆变器和H桥驱动器。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于电池管理系统（BMS）、电动自行车控制器、UPS不间断电源以及太阳能充电控制器等设备。此外，该器件也常用于LED照明驱动电路，作为恒流调节开关元件，提供高效稳定的电流输出。在汽车电子领域，IRFIZ24N可用于车载充电器、车灯控制模块和小型电机控制单元，得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力。工业自动化系统中的继电器替代、电磁阀驱动和PLC输出模块也常采用该MOSFET实现固态开关功能。由于其封装紧凑且易于散热设计，IRFIZ24N适用于空间受限但对效率要求较高的嵌入式电源系统。