时间：2025/7/11 17:11:32
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IRFIBE20GPBF是一款由国际整流器公司（International Rectifier，已被英飞凌收购）生产的功率MOSFET芯片。该器件采用N沟道增强型技术设计，主要适用于高电压、大电流的开关应用场合。其封装形式为TO-247，具备出色的电气性能和热性能，适合工业级和商业级应用需求。
这款功率MOSFET以其低导通电阻和高开关速度著称，能够有效降低功耗并提高系统效率。同时，它具有良好的雪崩能力和抗静电能力，从而增强了器件的可靠性和耐用性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：240W
工作温度范围：-55℃至+150℃
IRFIBE20GPBF具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达600V的工作电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为0.18Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度，能够实现高频操作，满足现代电源系统的性能需求。
4. 强大的雪崩能量承受能力，提高了器件在异常情况下的可靠性。
5. 稳定的工作性能，在宽广的温度范围内仍能保持稳定的电气特性。
6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到各种设计中。
IRFIBE20GPBF广泛应用于需要高效率和高可靠性的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换。
2. 电机驱动电路，如工业自动化设备中的直流电机控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统的功率调节模块。
4. 电动汽车和混合动力汽车的动力系统。
5. 各类工业电子设备和家用电器中的高效功率管理单元。
由于其出色的性能表现，IRFIBE20GPBF成为许多工程师在高压功率切换应用中的首选解决方案。
IRFP250N, IRFP260N, STP20NF60
