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IRFI840GPBF 发布时间 时间:2025/5/7 12:19:47 查看 阅读:8

IRFI840GPBF是国际整流器公司(International Rectifier,已被Infineon收购)生产的一款大功率MOSFET器件。该型号采用TO-247封装形式,广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等高功率场景。其设计旨在提供高效的电力转换与控制能力,具备较低的导通电阻和良好的热性能。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:16A
  栅极电荷:35nC
  导通电阻:0.18Ω
  功耗:250W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRFI840GPBF是一款N沟道增强型功率场效应晶体管,具有出色的电气特性和稳定性。
  1. 高耐压能力:额定漏源电压为500V,适用于高压环境下的开关应用。
  2. 较低的导通电阻:典型值为0.18Ω,在高电流条件下能够减少功率损耗。
  3. 快速开关特性:低栅极电荷(35nC)使其能够在高频环境下实现高效切换。
  4. 热性能优越:通过优化设计,该器件能够在极端温度范围内保持稳定运行。
  5. 封装坚固耐用:TO-247封装形式提供了良好的散热能力和机械强度,适合各种工业用途。

应用

该型号主要应用于需要高效功率转换和高可靠性的场景中,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动系统
  4. 光伏逆变器
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块
  由于其高压和高电流处理能力,IRFI840GPBF特别适合于。

替代型号

IRFP460,
  STP17NF50,
  FDP18N50,
  IXFN16N50T2

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IRFI840GPBF参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 2.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1300pF @ 25V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
  • 供应商设备封装TO-220-3
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFI840GPBF