类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：500 V
　　最大连续漏极电流（ID）：3.8 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：15 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 1.0 Ω（在VGS = 10 V时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V 至 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 600 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 150 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 90 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：TO-220AB

IRFI740B具备多项优异的电气与热性能特性，使其在中高压功率MOSFET市场中占据重要地位。
　　首先，其500V的最大漏源电压使其能够胜任多种离线式开关电源设计，如AC-DC适配器、LED驱动电源和SMPS（开关模式电源）等应用。在这些场合中，器件需要承受来自电网的高压瞬变，而IRFI740B的高击穿电压能力确保了系统的安全性和可靠性。
　　其次，该MOSFET采用了英飞凌成熟的沟道技术和薄晶圆工艺，显著降低了单位面积的导通电阻，使得RDS(on)在10V栅压下仅为1.0Ω左右。这一低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体效率，并降低散热需求。尽管其绝对RDS(on)值相较于现代超结MOSFET略高，但在成本敏感且对性能要求适中的应用中仍具竞争力。
　　此外，IRFI740B具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这直接关系到开关速度和驱动功耗。在高频开关应用中，较小的栅极电荷意味着可以使用更小的驱动电流即可实现快速开启与关断，从而降低驱动电路复杂度并提升系统效率。同时，其输出电容较小，有助于减少开关过程中的能量损耗，特别是在零电压切换（ZVS）或谐振拓扑中表现良好。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和坚固的体二极管结构，可在感性负载切换过程中有效抑制电压尖峰，防止器件损坏。其工作结温可达150°C，配合适当的散热措施可长期稳定运行于高温工业环境中。
　　最后，TO-220AB封装不仅提供了优良的散热路径，也便于手工焊接与维护，在原型开发和中小批量生产中具有明显优势。综上所述，IRFI740B是一款兼顾性能、可靠性与成本效益的通用型高压N沟道MOSFET。

IRFI740B广泛应用于多种电力电子领域，尤其适用于中等功率级别的开关电源系统。常见应用场景包括通用AC-DC开关电源（如充电器、适配器）、离线式反激变换器（Flyback Converter）以及DC-DC升压或降压转换器。在这些拓扑结构中，IRFI740B作为主开关元件，负责将输入电能以高频方式传递至变压器或电感元件，实现高效的电压变换与隔离。
　　此外，它也被用于电机控制电路中，例如小型直流电机或步进电机的驱动模块，尤其是在需要高压供电的工业控制设备中。由于其具备足够的电流承载能力和电压耐受性，可用于H桥或半桥配置中的上桥臂或下桥臂开关。
　　在照明领域，特别是高压LED驱动电源中，IRFI740B常被用作初级侧开关管，支持恒流输出控制，满足LED灯具对能效和稳定性的要求。
　　其他应用还包括逆变器、UPS不间断电源、电焊机电源模块以及各类消费类和工业类电源产品。其TO-220封装形式便于安装散热片，适合自然对流或强制风冷环境下的长期运行。
　　由于其具备良好的抗干扰能力和温度稳定性，IRFI740B也可用于电磁炉、微波炉等家用电器的功率控制单元中，执行高频斩波或加热功率调节功能。总体而言，该器件适用于所有需要可靠、高效地控制500V级别直流或脉冲电压的场景。

SPW47N50C3, FDPF50N50, STP5NK50ZFP