IRFI630B 时间：2025/12/29 15:09:24 阅读：12

IRFI630B是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等应用。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于中高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：74W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

IRFI630B具有多项优秀的电气性能和可靠性特点。首先，其漏源电压可达200V，适用于中高压功率转换系统。导通电阻低至0.25Ω，使得在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高系统效率。
　　其次，该MOSFET具备较高的栅极耐压能力，允许在较宽的驱动电压范围内工作，提高了驱动电路的设计灵活性。此外，IRFI630B具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（74W），能够在较恶劣的环境下稳定运行。
　　该器件还具备快速开关特性，适合高频开关应用，有助于减小外围电路的尺寸和重量。其TO-220封装结构便于安装和散热设计，适用于多种工业和消费类电子产品。

应用

IRFI630B主要应用于各种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、LED照明驱动电路以及电池管理系统等。其高耐压、低导通电阻和良好的热性能使其在需要高效能和高可靠性的系统中表现出色。
　　例如，在开关电源中，IRFI630B可用于主开关管或同步整流器，提高电源转换效率；在电机控制应用中，它可作为H桥结构中的功率开关，实现对电机速度和方向的精确控制；在LED照明系统中，该器件可用于恒流驱动电路，确保光源的稳定性和长寿命。