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IRFI540NPBF 发布时间 时间:2025/7/4 0:05:47 查看 阅读:7

IRFI540NPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沱道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,广泛应用于电源管理、电机驱动以及 DC-DC 转换等领域。其封装形式为 TO-220FP,适合高功率密度设计需求。
  IRFI540NPBF 在性能上相比传统的功率 MOSFET 具有明显优势,包括更高的效率、更低的功耗以及更强的热性能表现。这些特点使其成为工业应用和消费电子领域中理想的选择。

参数

最大漏源电压:500V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻:0.38Ω
  栅极电荷:70nC
  输入电容:1090pF
  输出电容:380pF
  反向传输电容:88pF
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C

特性

IRFI540NPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 高耐压能力:能够承受高达 500V 的漏源电压,适用于高压环境中的应用。
  2. 较低的导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻仅为 0.38Ω,从而降低了导通损耗并提高了整体效率。
  3. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷(70nC),使得开关速度更快,减少了开关损耗。
  4. 优异的热性能:采用 TO-220FP 封装,具备良好的散热能力,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 高可靠性:经过严格的质量控制和测试,确保了产品的长期可靠性和稳定性。

应用

IRFI540NPBF 主要应用于以下几个领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,用于提高电源转换效率。
  2. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或步进电机的运转。
  3. DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中充当开关元件。
  4. 逆变器:用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变系统。
  5. 电池管理系统:用于电池保护电路中的开关元件。

替代型号

IRFI540G, IRFI540N

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IRFI540NPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs94nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1400pF @ 25V
  • 功率 - 最大54W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220AB 整包
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFI540NPBF