时间：2025/5/10 14:59:05
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IRFI4229PBF 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的高性能 MOSFET 功率晶体管，采用 TO-263-3 封装。该器件属于逻辑电平 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及其他功率转换应用。
IRFI4229PBF 的设计优化了其在高效率功率系统中的表现，能够支持高达 50V 的漏源极电压，并且具备较低的 RDS(on) 值以减少传导损耗。
最大漏源极电压：50V
最大连续漏极电流：18A
栅极阈值电压：2.5V
导通电阻（RDS(on)）：7mΩ
总功耗：110W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-263-3
IRFI4229PBF 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，这使其非常适合需要高效功率管理的应用场景。具体特性包括：
- 极低的 RDS(on)（典型值为 7mΩ），有助于降低功率损耗。
- 快速开关速度，支持高频操作。
- 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
- 逻辑电平栅极驱动兼容性，简化了电路设计。
- 工作温度范围宽广，适应多种环境条件。
IRFI4229PBF 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
- 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关元件。
- DC-DC 转换器，用于电压调节和稳压。
- 电机驱动电路，用于控制直流或无刷电机。
- 电池管理系统 (BMS)，用于保护和监测电池状态。
- 充电器电路，提供高效的充电解决方案。
- 各种工业自动化设备中的功率开关组件。
IRLZ44N, IRFZ44N, FDP16N50C
