类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：50A
　　脉冲漏极电流（IDM）：100A
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 10V）：3.8mΩ
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS = 4.5V）：5.3mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　总栅极电荷（Qg @ VDS = 16V, ID = 25A）：15nC
　　输入电容（Ciss）：1020pF
　　输出电容（Coss）：390pF
　　反向恢复时间（trr）：10ns
　　最大功耗（PD）：75W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DirectFET (3.3mm x 3.3mm)

IRFI4020H采用Infineon先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势之一是超低的RDS(on)，在VGS = 10V时仅为3.8mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的能效表现。这一特性尤其适用于大电流、低电压的应用场合，如同步整流、负载开关和电源管理模块。由于采用了DirectFET封装技术，器件具有极低的热阻（典型θJC为1.2°C/W），能够通过顶部和底部同时散热，极大增强了热管理能力，从而支持更高的持续电流输出而不会过热。
　　该器件的栅极电荷（Qg）仅为15nC，在高频开关电路中可大幅减少驱动电路的能量消耗，提高整体转换效率。同时，较低的输入电容（Ciss = 1020pF）使得MOSFET更容易被快速驱动，缩短了开关延迟时间，有助于实现更快的上升和下降沿控制。这对于现代高频率DC-DC变换器至关重要，尤其是在多相供电系统中需要精确时序匹配的情况下。
　　IRFI4020H还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击而不损坏，提升了系统的鲁棒性和可靠性。其栅源电压限制为±12V，建议工作在+10V至+4.5V之间以确保稳定导通并避免栅极氧化层击穿。此外，该器件对寄生参数进行了优化设计，减少了米勒效应的影响，降低了因dv/dt引起的误触发风险，适用于噪声环境较复杂的工业控制系统。
　　总体而言，IRFI4020H凭借其高性能参数、紧凑封装和优良热性能，成为许多高密度电源设计中的理想选择，特别是在追求小型化、高效化和高可靠性的应用场景中表现出众。

IRFI4020H广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于同步降压变换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、电动工具电源模块、便携式设备电源管理单元以及服务器和通信设备的VRM（电压调节模块）。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于DC-DC转换器的上下管配置中，特别是在多相 buck 转换器中作为低边同步整流管使用，可显著降低传导损耗并提升整体效率。此外，该器件也常用于电机驱动电路中，作为H桥结构中的开关元件，控制直流电机或步进电机的正反转及调速操作。
　　在电池供电系统中，IRFI4020H可用于主电源通断控制或充放电路径管理，利用其低静态功耗和快速响应特性实现高效的能源调度。其DirectFET封装便于在双面散热PCB布局中使用，特别适合空间受限但散热要求高的紧凑型电子产品，如笔记本电脑适配器、移动基站电源模块和嵌入式计算平台。由于其具备较强的抗干扰能力和稳定的电气特性，也可应用于工业自动化设备中的数字I/O驱动和固态继电器设计。

IRLHS4020H
　　SiR430DP-T1-GE3
　　AOZ5225NQI