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IRFHM9331TR2PBF 发布时间 时间:2025/7/12 1:13:53 查看 阅读:9

IRFHM9331TR2PBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装形式,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制以及其他需要高效功率切换的场景。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高频功率转换应用的理想选择。
  该 MOSFET 的设计特点包括快速开关速度、低栅极电荷以及出色的热性能,这些特性共同提高了系统的整体效率和可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:37A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  总电容(Ciss):2500pF
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃
  封装形式:TO-263

特性

IRFHM9331TR2PBF 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流应用中减少功率损耗。
  2. 快速的开关速度降低了开关损耗,适合高频应用。
  3. 高电流承载能力确保了在重负载条件下依然保持稳定性能。
  4. 热增强型封装提高了散热性能,增强了器件的可靠性。
  5. 宽工作温度范围使它适用于各种严苛环境下的应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子系统中。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中作为主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC 转换器中的功率开关,用于提升转换效率。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件,用于控制电机的速度和方向。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 电池管理系统中的保护和切换功能。
  6. 电动汽车及混合动力汽车中的功率管理模块。
  7. 各类消费类电子产品中的高效功率管理方案。

替代型号

IRFHG40N04D, IRFZ44N

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IRFHM9331TR2PBF参数

  • 标准包装400
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14.6 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1543pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVQFN
  • 供应商设备封装PQFN(3x3)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFHM9331TR2PBFTR