IRFH9310 时间：2025/4/30 9:23:18 阅读：18

IRFH9310是英飞凌（Infineon）公司推出的一款N沟道增强型MOSFET，该器件采用逻辑电平驱动设计，能够在低栅极驱动电压下实现高效的导通性能。它主要应用于消费类电子、工业控制以及汽车电子领域中的开关电源、电机驱动和负载切换等场景。
　　IRFH9310采用Trench技术制造，具备较低的导通电阻和出色的开关性能，从而减少功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压：20V
　　最大连续漏极电流：45A
　　导通电阻：1.2mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　栅极电荷：28nC（最大值，典型测试条件）
　　总功耗：17W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-263-3

特性

IRFH9310具有以下显著特点：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，在高电流应用中表现出优异的效率。
　　2. 逻辑电平驱动，支持低至4.5V的栅极驱动电压，便于与各种控制器兼容。
　　3. 快速开关能力，有助于降低开关损耗。
　　4. 高雪崩能量耐受能力，增强了器件的鲁棒性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且适合现代电子产品的生产要求。
　　6. 耐高温设计，适用于恶劣环境下的应用。

应用

该MOSFET广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关元件。
　　2. 电机驱动电路中的功率级组件，例如无刷直流电机（BLDC）控制器。
　　3. 工业自动化设备中的负载切换。
　　4. 汽车电子中的启动控制和保护电路。
　　5. 大电流负载的动态管理，如LED驱动器或电池管理系统（BMS）。