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IRFH8324TRPBF 发布时间 时间:2025/7/1 23:24:19 查看 阅读:7

IRFH8324TRPBF 是一款来自英飞凌(Infineon)的N沟道功率MOSFET,采用TOLL封装。该器件设计用于高效率、高频开关应用,广泛应用于服务器电源、通信电源、DC-DC转换器和电机驱动等场景。其低导通电阻和优化的开关性能使其成为高性能功率转换的理想选择。
  该器件具有极低的导通电阻,同时具备良好的热性能和电气性能,能够有效降低系统功耗并提高整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:154A
  导通电阻(典型值):0.47mΩ
  栅极电荷(典型值):94nC
  输入电容(典型值):3740pF
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TOLL

特性

IRFH8324TRPBF的主要特点是其超低的导通电阻和优化的开关特性。具体来说:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在10V栅极驱动下仅为0.47mΩ,从而显著降低传导损耗。
  2. 高额定电流能力,支持高达154A的连续漏极电流。
  3. 优化的栅极电荷设计,有助于减少开关损耗。
  4. TOLL封装提供出色的散热性能和较低的寄生电感,非常适合高频应用。
  5. 宽工作温度范围,支持从-55℃到175℃的结温操作,适用于恶劣环境下的应用。

应用

IRFH8324TRPBF因其优异的性能,适用于以下领域:
  1. 服务器和通信电源中的高效功率转换。
  2. 工业级DC-DC转换器,包括非隔离和隔离式设计。
  3. 电动车辆及混合动力汽车的牵引逆变器。
  4. 高电流电机驱动控制。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 高频硬开关和软开关拓扑,例如图腾柱PFC电路。

替代型号

IRFH8324TRPBF_G, IRFH8324TRPBF_W

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IRFH8324TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C23A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.1 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.35V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2380pF @ 10V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFH8324TRPBFTR