时间：2025/5/23 6:26:57
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IRFH8318是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用了Trench技术，具有极低的导通电阻和较高的电流处理能力，适合用于高频开关应用以及高效率的功率转换电路。其封装形式为PQFN56（5x6mm），非常适合空间受限的设计场景。
该芯片广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及通信电源等领域，特别是在需要高效能和小体积解决方案的应用中表现优异。
型号：IRFH8318
类型：N沟道功率MOSFET
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻，典型值@Vgs=10V）：2.5mΩ
Id（连续漏极电流）：97A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：38nC
EAS（雪崩能量）：28mJ
封装：PQFN56 (5x6mm)
工作温度范围：-55℃至+175℃
IRFH8318采用先进的Trench MOSFET技术制造，具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻Rds(on)，仅为2.5mΩ（在Vgs=10V时），从而减少了传导损耗并提升了系统效率。
2. 高额定电流能力，最大可支持97A的连续漏极电流。
3. 总栅极电荷Qg较小，仅为38nC，有助于降低开关损耗。
4. 支持宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），适用于恶劣环境下的工作需求。
5. 小巧的PQFN56封装设计，节省了PCB板空间，非常适合对尺寸敏感的应用。
6. 具备出色的热性能和电气稳定性，确保在高频开关应用中的可靠运行。
IRFH8318适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电动工具驱动
4. 电机控制
5. 汽车电子系统
6. 工业逆变器
7. 笔记本适配器和其他便携式设备电源
凭借其低导通电阻和高效的开关特性，该器件能够在这些应用中提供更高的能源效率和更紧凑的设计方案。
IRLB8748PBF, IRFH5301TRPBF
