型号：IRFH7446
　　制造商：Infineon Technologies
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：20 A（在TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：80 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)：max 4.2 mΩ（当VGS = 10 V）
　　导通电阻RDS(on)：max 5.3 mΩ（当VGS = 4.5 V）
　　阈值电压（Vth）：典型值1.8 V，范围1.4~2.4 V
　　栅极电荷（Qg）：典型值19 nC（在VGS=10V，ID=10A）
　　输入电容（Ciss）：典型值970 pF（在VDS=15V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值18 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SuperSO8 (TSOP-8)
　　是否符合RoHS：是
　　是否通过AEC-Q101：是

IRFH7446采用英飞凌先进的TrenchTrench 9工艺技术，这种深沟槽结构显著降低了器件的导通电阻与开关损耗，从而提升了整体能效。其超低RDS(on)特性使得在大电流条件下仍能保持较低的功率损耗，有效减少发热，提高系统稳定性。该MOSFET具备出色的热阻性能，结至外壳热阻（RθJC）仅为1.2°C/W，有利于热量快速传导至PCB，提升散热效率。
　　该器件具有优化的栅极设计，提供稳定的开关行为，减小了米勒效应的影响，从而降低了在高频开关应用中发生误触发的风险。其栅极耐压高达±20V，增强了抗干扰能力和系统鲁棒性，适用于复杂电磁环境下的应用。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）使驱动电路所需功耗更小，兼容低压逻辑信号控制，适合与PWM控制器或微处理器直接接口。
　　IRFH7446还具备优良的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中保护自身不被击穿，提高了系统的安全性和长期可靠性。其符合AEC-Q101车规标准，意味着它经过了严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、湿度寿命等，可在汽车引擎舱等恶劣环境中稳定运行。此外，SuperSO8封装不仅体积小巧（约5mm x 6mm），而且引脚设计优化，减少了寄生电感，有助于抑制开关过程中的电压振铃现象。
　　由于采用了无铅、无卤素材料制造，IRFH7446满足现代绿色电子产品的环保要求，支持环保型生产工艺。其高度集成的设计理念减少了外围元件需求，简化了电路设计流程，缩短产品开发周期。综合来看，IRFH7446是一款兼顾高性能、高可靠性和环保特性的先进功率MOSFET，适用于追求极致效率与紧凑设计的应用场合。

IRFH7446广泛应用于多种高效率电源系统中，尤其适用于需要低导通损耗和快速开关响应的场景。在同步整流型DC-DC转换器中，该器件常作为下管或上管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率，特别适用于笔记本电脑、平板电脑和服务器的主板供电模块。在电池管理系统（BMS）中，IRFH7446可用于充放电控制开关，确保能量高效传递并防止反向电流。
　　在电机驱动应用中，例如无人机电调、电动工具或小型机器人控制系统中，该MOSFET可作为H桥电路中的开关元件，实现精确的速度和方向控制。其高电流承载能力和良好热性能保证了长时间运行下的稳定性。此外，在热插拔控制器和负载开关电路中，IRFH7446能够实现软启动功能，限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。
　　在汽车电子领域，得益于其通过AEC-Q101认证，IRFH7446可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器电源管理、LED车灯驱动模块等，适应宽温范围和振动环境。其小型封装也适合空间受限的车载模块设计。此外，该器件还可用于工业电源、PoE（以太网供电）设备、USB PD快充适配器等高密度电源设计中，帮助实现更高的功率密度和更低的工作温升。
　　总体而言，IRFH7446凭借其优异的电气性能和高可靠性，已成为现代高效能、小型化电源系统中不可或缺的关键元器件，适用于消费类电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多个行业领域。

IRLHS7446TRPBF
　　IRLH7446
　　SIHH28DN-T1-GE3
　　FDMC86120S