IRFH7440 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适合用于要求高效率和高性能的应用场景。其封装形式为PQFN33(5x6),具备良好的散热性能和紧凑的设计,非常适合空间受限的应用。
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):58A
导通电阻(RDS(on)):1.3mΩ(在VGS=10V时)
总栅极电荷(Qg):69nC
输入电容(Ciss):2730pF
反向恢复时间(trr):93ns
工作结温范围(Tj):-55℃至+175℃
IRFH7440具有非常低的导通电阻RDS(on),这使其能够在高电流应用中保持较低的传导损耗。
该器件采用了先进的Trench技术,显著提高了单位面积内的电流承载能力,并降低了开关损耗。
其快速开关特性和优化的栅极电荷设计使得IRFH7440非常适合高频开关应用。
此外,PQFN33封装不仅提供了出色的热性能,还能够有效减少寄生电感,进一步提升整体效率。
由于其宽广的工作温度范围,IRFH7440可以在极端环境下可靠运行。
IRFH7440广泛应用于各种功率转换和电机驱动领域,包括但不限于:
DC-DC转换器
同步整流电路
太阳能逆变器
电动工具驱动
电动车窗和座椅调节系统
高效能电源供应器
工业自动化设备中的功率控制模块
IRFH7442, IRFH7444