型号：IRFH6200
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：14A
　　脉冲漏极电流（IDM）：56A
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：5.8mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：5.3mΩ
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.1V（典型值）
　　栅极电荷（Qg）@10V VGS：24nC
　　输入电容（Ciss）：1090pF
　　输出电容（Coss）：350pF
　　反向恢复时间（trr）：22ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PQFN 3.3x3

IRFH6200采用英飞凌先进的沟槽栅极技术和超结结构优化设计，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性的平衡。其在4.5V栅极驱动电压下RDS(on)仅为5.8mΩ，在10V条件下进一步降低至5.3mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，特别适合用于高电流密度和高效率要求的应用场景。该器件具有非常低的总栅极电荷（Qg = 24nC），有助于降低驱动电路的功耗并提升开关速度，从而在高频开关电源中实现更高的系统效率。同时，其输入电容（Ciss）为1090pF，输出电容（Coss）为350pF，使得在硬开关和软开关拓扑中均能保持良好的动态响应性能。
　　该MOSFET具备快速的反向恢复能力，体二极管反向恢复时间（trr）仅为22ns，有效降低了在桥式电路或同步整流应用中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题，提升了系统的可靠性和稳定性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，表明其可在极端高低温环境下稳定运行，适用于严苛工业或车载环境。其PQFN 3.3x3封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且底部带有裸露焊盘，可直接连接到散热焊盘，大幅改善热传导性能，提高功率处理能力。
　　此外，IRFH6200通过了AEC-Q101车规级认证，意味着其在温度循环、机械冲击、湿度敏感性等方面经过严格测试，确保长期使用的可靠性。该器件还具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅氧化层设计，能够承受瞬态过压和浪涌电流，增强了在实际应用中的鲁棒性。综合来看，IRFH6200是一款兼顾高性能、小型化与高可靠性的功率MOSFET，非常适合用于现代高效电源系统的设计。

IRFH6200广泛应用于各类中高功率电源转换系统中。典型应用场景包括同步降压变换器（Buck Converter）和升压变换器（Boost Converter），尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，用于服务器、笔记本电脑和高端主板的CPU供电系统。其低导通电阻和快速开关特性使其成为DC-DC转换器中的理想选择，能够显著提高转换效率并减少热量产生。在电池供电设备如移动电源、电动工具和无人机中，该器件可用于电池管理系统的充放电控制电路，提供高效的能量传输路径。
　　在工业自动化领域，IRFH6200常用于电机驱动电路，作为H桥或半桥拓扑中的开关元件，驱动直流电机或步进电机，实现精确的速度和方向控制。其高电流承载能力和良好热性能确保在长时间运行中保持稳定。此外，该MOSFET也可用于隔离式电源的次级侧同步整流电路，替代传统肖特基二极管，大幅降低整流损耗，提升整体电源效率，尤其适用于适配器、充电器和LED驱动电源等产品。
　　由于其通过AEC-Q101认证，IRFH6200也适用于部分汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统电源、车身控制模块（BCM）、LED照明驱动以及辅助电源单元。在电信基础设施中，该器件可用于基站电源、PoE（以太网供电）设备中的DC-DC模块，满足高密度集成和高效能的需求。总之，IRFH6200凭借其优异的电气特性、紧凑封装和高可靠性，已成为众多高性能电源设计中的关键组件。

IRLH6200
　　FDMC667NS
　　SISS10DN
　　AOZ5238EQI-02
　　CSD16406Q5