IRFH5210 时间：2025/5/10 10:58:18 阅读：13

IRFH5210是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET，采用Trench技术制造。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、同步整流电路以及电机驱动等场景。
　　该型号主要针对需要高效能和低损耗的应用设计，能够显著减少导通损耗，同时提供良好的开关性能。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：72A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.3mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：39nC
　　输入电容：2650pF
　　总功耗：225W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃

特性

IRFH5210具备极低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提高系统效率。其Trench技术提供了更小的芯片面积和更高的电流密度，从而实现了卓越的热性能和电气性能。
　　此外，该器件支持高频操作，并且具有快速开关速度，这使其非常适合于要求高效率和高可靠性的应用环境。
　　IRFH5210还拥有强大的雪崩能量承受能力，进一步增强了其在恶劣条件下的稳定性。这些特点共同使得IRFH5210成为工业级和汽车级应用的理想选择。

应用

IRFH5210广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
　　1. DC-DC转换器中的同步整流开关
　　2. 开关电源（SMPS）中的功率开关
　　3. 电动工具及家用电器中的电机驱动
　　4. 通信设备中的负载切换
　　5. 汽车电子中的电池管理系统（BMS）
　　由于其出色的电气特性和可靠性，IRFH5210也常用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及其他需要高性能功率管理的场合。