型号：IRFH5110
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　最大连续漏极电流（ID）：31 A（TA=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on)（max）：7.8 mΩ @ VGS = 10 V
　　导通电阻RDS(on)（typ）：6.2 mΩ @ VGS = 10 V
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：970 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：240 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：26 ns
　　栅极电荷（Qg）：13 nC @ VGS = 10 V
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装（SMD）

IRFH5110采用英飞凌先进的TrenchFET技术，这种垂直沟道结构能够显著提升单位面积下的载流子迁移率，从而实现极低的导通电阻与优异的开关速度。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为6.2mΩ，在同类产品中处于领先水平，这意味着在大电流应用中可以大幅减少I2R损耗，提升系统能效。同时，其最大RDS(on)为7.8mΩ，保证了批量生产中的一致性和可靠性。该MOSFET的栅极电荷Qg低至13nC，降低了驱动电路的能量消耗，尤其适合高频开关电源设计，如同步降压变换器或半桥拓扑结构。
　　器件的输入电容Ciss为970pF，输出电容Coss为240pF，这些较低的寄生电容值有助于减小开关过程中的能量损耗，进一步优化转换效率。此外，其反向恢复时间trr为26ns，表现出较快的体二极管响应速度，这对防止交叉导通和降低瞬态功耗至关重要，特别是在同步整流应用中。IRFH5110具备高达±20V的栅源电压耐受能力，增强了对栅极驱动噪声和瞬态过压的抗扰度，提升了系统的鲁棒性。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧（约5mm x 6mm），而且采用了无引线设计，有效缩短了内部连接路径，降低了寄生电感和热阻。该封装支持双面散热，可通过PCB敷铜进行高效散热，使其在高功率密度设计中表现优异。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，满足工业级和部分汽车级应用的温度要求。此外，产品符合RoHS指令且不含卤素，适用于绿色环保设计。总体而言，IRFH5110凭借其高性能参数、可靠性和紧凑封装，成为现代高效电源系统中的理想选择。

IRFH5110广泛应用于需要高效率、高频率开关操作的电源管理系统中。典型应用包括同步整流型DC-DC降压变换器，尤其是在服务器、笔记本电脑和通信设备的多相供电模块中，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提高转换效率并减少发热。在负载开关电路中，该器件可用于控制电源路径的通断，实现对不同功能模块的上电时序管理，常用于电池供电设备以延长续航时间。
　　在电机驱动领域，IRFH5110可用于H桥或半桥拓扑中的低端或高端开关元件，驱动直流电机或步进电机，其快速响应能力和低导通损耗有助于提升驱动精度和能效。此外，它也适用于隔离式电源的次级侧同步整流，替代传统肖特基二极管，显著降低整流损耗，提高整体电源效率。
　　在LED驱动电源中，该MOSFET可用于恒流控制回路中的开关元件，配合控制器实现精确调光和高效能量转换。在热插拔控制器和电源冗余系统中，IRFH5110凭借其快速开启/关断能力和过流承受能力，可作为主开关器件使用，防止浪涌电流损坏后级电路。
　　由于其小型化封装和高功率密度特性，IRFH5110也被广泛用于空间受限的便携式设备，如移动电源、USB PD充电器、无人机电源模块等。在工业自动化系统中，该器件可用于PLC模块的电源管理单元或传感器供电电路。总之，凡是在100V电压范围内需要高效、快速、可靠的功率开关解决方案的应用场景，IRFH5110都是一个极具竞争力的选择。

IRLHS5110
　　IRFB4110
　　IRF7472
　　SiR144DP
　　FDMS8880