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IRFH5053TRPBF 发布时间 时间:2025/7/1 21:16:11 查看 阅读:14

IRFH5053TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道 FET,采用 PQFN3x3-10 封装。该器件专为高效能功率转换应用而设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备等领域。
  其先进的制造工艺确保了在高频工作条件下的卓越性能和高可靠性,同时具备较低的栅极电荷和输出电容,从而减少了开关损耗并提高了系统效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:26A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:14nC
  总电容:135pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRFH5053TRPBF 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为 2.8mΩ,这使其在大电流应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。此外,它的栅极电荷较小,仅为 14nC,这有助于实现更快的开关速度并减少开关能量损耗。
  该器件还支持宽广的工作温度范围,从 -55℃ 到 175℃,保证了在极端环境下的稳定运行。紧凑的 PQFN3x3-10 封装节省了 PCB 空间,非常适合空间受限的设计场景。
  另外,由于采用了先进的屏蔽栅极技术,IRFH5053TRPBF 提供了更佳的热性能和电气性能,同时降低了电磁干扰的可能性。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  - DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关
  - 笔记本电脑和智能手机的充电管理电路
  - 工业电机驱动和逆变器
  - 开关电源 (SMPS) 和 UPS 系统
  - 高效能 LED 驱动器
  - 各类便携式电子设备中的负载开关功能

替代型号

IRFH5053DPbF, IRFH5053TRPbL

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IRFH5053TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 9.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.9V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1510pF @ 50V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFH5053TRPBFTR