时间：2025/7/1 21:16:11
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IRFH5053TRPBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沣道 FET，采用 PQFN3x3-10 封装。该器件专为高效能功率转换应用而设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流以及电池供电设备等领域。
其先进的制造工艺确保了在高频工作条件下的卓越性能和高可靠性，同时具备较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：26A
导通电阻：2.8mΩ
栅极电荷：14nC
总电容：135pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IRFH5053TRPBF 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 2.8mΩ，这使其在大电流应用中表现出色，能够显著降低传导损耗。此外，它的栅极电荷较小，仅为 14nC，这有助于实现更快的开关速度并减少开关能量损耗。
该器件还支持宽广的工作温度范围，从 -55℃ 到 175℃，保证了在极端环境下的稳定运行。紧凑的 PQFN3x3-10 封装节省了 PCB 空间，非常适合空间受限的设计场景。
另外，由于采用了先进的屏蔽栅极技术，IRFH5053TRPBF 提供了更佳的热性能和电气性能，同时降低了电磁干扰的可能性。
这款 MOSFET 广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于：
- DC-DC 转换器中的主开关或同步整流开关
- 笔记本电脑和智能手机的充电管理电路
- 工业电机驱动和逆变器
- 开关电源 (SMPS) 和 UPS 系统
- 高效能 LED 驱动器
- 各类便携式电子设备中的负载开关功能
IRFH5053DPbF, IRFH5053TRPbL
