IRFH5015 时间：2025/4/29 13:45:37 阅读：20

IRFH5015是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用Trench技术制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于高效率、高频开关应用中。
　　该器件常用于DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动以及负载切换等场景。

参数

型号：IRFH5015
　　封装：SO-8
　　Vds（漏源电压）：20V
　　Rds(on)（导通电阻）：3.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　Id（连续漏极电流）：64A
　　Pd（总功耗）：25W
　　f（工作频率）：高达数MHz
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　Tj（结温范围）：-55°C至+175°C

特性

IRFH5015采用了先进的Trench MOSFET技术，具备以下主要特点：
　　1. 极低的Rds(on)，能够有效降低导通损耗，提升整体系统效率。
　　2. 较高的电流承载能力，适合大功率应用环境。
　　3. 快速开关性能，支持高频操作，有助于减少磁性元件体积并提高功率密度。
　　4. 高温稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
　　5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品设计中。

应用

IRFH5015广泛应用于需要高效功率转换和开关的应用领域，包括但不限于：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流开关。
　　2. 电机驱动电路中的功率级控制。
　　3. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
　　4. 负载切换和保护电路中的电子开关。
　　5. 可再生能源系统中的逆变器和变换器组件。