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IRFH5010TRPBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:29:35 查看 阅读:9

IRFH5010TRPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于高效能功率转换应用。其封装形式为 TO-263-3(D2PAK),能够有效散热并适应高功率场景。
  该型号主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等领域,凭借其卓越的性能和可靠性,在工业和消费电子领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:97nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IRFH5010TRPBF 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on))仅为 1.4mΩ,这显著降低了功率损耗并提高了系统效率。此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),使得开关损耗得以减少,从而适合高频应用。
  它还具备出色的热稳定性,能够在高达 175℃ 的环境下可靠运行,因此适用于恶劣的工作条件。
  同时,TO-263-3 封装提供了良好的电气连接与散热性能,简化了 PCB 设计并增强了系统的整体可靠性。

应用

该器件广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 电机驱动电路
  3. 工业自动化设备中的负载切换
  4. 笔记本电脑适配器及充电器
  5. 高效 DC-DC 转换器
  6. 电信基础设施中的电源管理模块
  由于其高电流承载能力和低 Rds(on),IRFH5010TRPBF 在要求高性能和低功耗的应用中表现出色。

替代型号

IRFH5007TRPBF, IRF540N

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IRFH5010TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs98nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4340pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerVQFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)
  • 包装带卷 (TR)