IRFH5010TRPBF 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于高效能功率转换应用。其封装形式为 TO-263-3(D2PAK),能够有效散热并适应高功率场景。
该型号主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及 DC-DC 转换器等领域,凭借其卓越的性能和可靠性,在工业和消费电子领域得到了广泛应用。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:38A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:97nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
IRFH5010TRPBF 的核心优势在于其低导通电阻(Rds(on))仅为 1.4mΩ,这显著降低了功率损耗并提高了系统效率。此外,该器件具有较低的栅极电荷(Qg),使得开关损耗得以减少,从而适合高频应用。
它还具备出色的热稳定性,能够在高达 175℃ 的环境下可靠运行,因此适用于恶劣的工作条件。
同时,TO-263-3 封装提供了良好的电气连接与散热性能,简化了 PCB 设计并增强了系统的整体可靠性。
该器件广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 电机驱动电路
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. 笔记本电脑适配器及充电器
5. 高效 DC-DC 转换器
6. 电信基础设施中的电源管理模块
由于其高电流承载能力和低 Rds(on),IRFH5010TRPBF 在要求高性能和低功耗的应用中表现出色。
IRFH5007TRPBF, IRF540N