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IRFH5004TRPBF 发布时间 时间:2025/6/28 22:28:23 查看 阅读:10

IRFH5004TRPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-263-3 封装形式。该器件专为高效能和高可靠性应用设计,适用于各种开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其低导通电阻特性使其在高频开关电路中表现优异,同时能够显著降低功率损耗。
  该 MOSFET 的额定电压为 40V,适合用于低压大电流系统。此外,其封装具有出色的散热性能,有助于提高系统的整体效率和稳定性。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  总栅极电荷:38nC
  输入电容:1790pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRFH5004TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻,能够在高电流条件下显著减少功耗。
  2. 较小的栅极电荷,有助于实现快速开关,从而提升效率并减少电磁干扰。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常情况下具备更高的鲁棒性。
  4. 优化的热阻抗设计,使得器件在高功率密度应用中表现出色。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代工业需求。
  这些特性使 IRFH5004TRPBF 成为众多电力电子应用的理想选择,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。

应用

IRFH5004TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换级,例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 各种电机驱动控制电路,包括无刷直流电机(BLDC)和步进电机。
  3. 负载切换和保护电路,例如电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 汽车电子系统,如电动助力转向(EPS)、燃油泵驱动以及 LED 照明驱动。
  其低压和大电流特性使其非常适合于需要高效功率传输和低损耗的应用环境。

替代型号

IRL5004TRPBF, IFRH5004

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IRFH5004TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C28A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫欧 @ 50A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4490pF @ 20V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VQFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • 包装带卷 (TR)