IRFF9130 时间：2025/4/28 15:30:04 阅读：3

IRFF9130 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用PQFN3x3-8封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，非常适合用于需要高效能和小型化设计的应用场景。这款MOSFET广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
　　由于其出色的电气性能和热性能，IRFF9130在功率转换电路中表现出色，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：4.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
　　栅极电荷：1.7nC
　　总电容（Ciss）：360pF
　　工作温度范围：-55℃ to +150℃
　　封装类型：PQFN3x3-8

特性

IRFF9130是一款高性能的MOSFET，其主要特性如下：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 快速开关能力，适合高频应用场合。
　　3. 小尺寸PQFN3x3-8封装，节省PCB空间。
　　4. 高度稳定的电气性能，在宽温度范围内表现优异。
　　5. 优秀的热性能，能够有效散热以确保长期可靠性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。

应用

IRFF9130适用于多种电力电子应用，包括但不限于以下领域：
　　1. DC-DC转换器中的同步整流功能。
　　2. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
　　3. 负载开关，用于保护电路免受过流或短路的影响。
　　4. 电机驱动电路，提供高效率和可靠性的驱动信号。
　　5. 移动设备和其他便携式电子产品中的电池管理模块。
　　6. 各种工业控制和自动化系统中的功率调节与分配组件。