类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：500 V
　　最大连续漏极电流（ID）：6.1 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：24 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大功耗（PD）：94 W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.3 Ω
　　阈值电压（VGS(th)）：4 V
　　输入电容（Ciss）：570 pF
　　输出电容（Coss）：175 pF
　　反向恢复时间（trr）：84 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +150 °C
　　封装：TO-220AB

IRF220 N沟道MOSFET具备多项关键特性，使其成为多种功率开关应用中的理想选择。首先，其高达500V的漏源击穿电压使其能够安全地工作于高压环境中，例如离线式开关电源或AC-DC转换系统中，适用于全球范围内的市电输入条件。其次，该器件具有较低的导通电阻（典型值为0.3Ω），这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的能效并降低温升，对于需要长时间运行的设备尤为重要。
　　另一个显著特点是其快速的开关能力。得益于较小的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，IRF220可以在较高的频率下实现高效切换，通常可用于几十kHz到数百kHz的开关电源设计中。这种高频操作不仅减小了外围无源元件（如电感和电容）的体积，还提升了电源系统的功率密度。此外，该器件具有较高的输入阻抗，意味着它所需的驱动电流非常小，可以由标准逻辑电平或专用驱动IC轻松驱动，简化了控制电路的设计。
　　热稳定性方面，IRF220采用TO-220封装，具有良好的热传导性能，可通过加装散热片有效管理热量积累。其最大功耗可达94W，在适当的散热条件下可支持较大负载电流。同时，该器件具备较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的自我保护机制，增强了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　值得注意的是，虽然IRF220的阈值电压约为4V，但为了确保完全导通并最小化导通损耗，推荐使用+10V至+15V的栅极驱动电压。此外，设计时应避免栅源电压超过±20V的极限值，以防栅氧化层击穿。内置体二极管的存在也允许其在感性负载应用中作为续流路径使用，但其反向恢复时间相对较长（约84ns），在高频硬开关应用中可能产生额外损耗，因此在某些高性能设计中可能需要外接快恢复二极管进行优化。

IRF220广泛应用于多种中等功率级别的电力电子系统中。最常见的用途之一是作为开关模式电源（SMPS）中的主开关器件，包括反激式、正激式和半桥拓扑结构，尤其适用于200W以下的适配器、充电器和工业电源模块。其高耐压和良好的开关特性使其能够高效处理整流后的市电电压（约300V DC）。
　　在DC-DC转换器中，IRF220可用于升压（Boost）、降压（Buck）或逆变（Inverter）电路，特别是在太阳能控制器、LED驱动电源和电池管理系统中发挥重要作用。由于其具备较高的电流承载能力和热稳定性，也可用于小型电机驱动电路，如风扇控制、电动工具和家用电器中的直流电机调速系统。
　　此外，该器件常用于逆变器设计，将直流电转换为交流电，例如在UPS不间断电源、便携式电源站和车载逆变器中。其快速响应能力和耐压性能有助于提升逆变波形质量并增强系统可靠性。
　　在工业控制领域，IRF220还可作为电磁阀、继电器或加热元件的开关元件，替代传统机械接触器，实现无触点控制，延长使用寿命并减少维护成本。在照明系统中，特别是电子镇流器和高强度气体放电灯（HID）驱动电路中，该MOSFET可用于高频振荡电路，提高发光效率并减少闪烁现象。
　　由于其成熟的技术和广泛的供货渠道，IRF220也被广泛用于教学实验、原型开发和DIY电子项目中，是学习功率电子技术和MOSFET应用的理想器件之一。

STP6NK50ZFP, FQP50N06, 2SK2542, BUZ900