类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-7.8A（@Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-31A
　　功耗（PD）：2.5W（@Tc=25°C）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（@VGS=-10V）；40mΩ（@VGS=-4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：860pF（@VDS=15V）
　　上升时间（tr）：35ns
　　下降时间（tf）：22ns
　　反向恢复时间（trr）：24ns

IRFE9024采用英飞凌成熟的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关特性之间的平衡。其核心优势之一是具备非常低的RDS(on)，在VGS = -10V时仅为32mΩ，在VGS = -4.5V时也仅达到40mΩ，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保在逻辑电平信号下可靠开启，兼容3.3V和5V控制接口，适用于微处理器直接驱动的应用场合。
　　该MOSFET具有出色的热稳定性，结温可达+150°C，支持在高温环境下持续运行。其封装形式通常为TO-220AB或类似通孔封装，具备良好的散热能力，便于安装于散热片上以进一步提升功率处理能力。器件内部结构经过优化，输入电容Ciss仅为860pF，降低了驱动电路的负载，有利于高频开关操作。同时，较短的上升时间（35ns）和下降时间（22ns）使其在DC-DC转换器和同步整流等高速开关应用中表现出色。
　　IRFE9024还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下安全运行，避免因电压尖峰导致器件损坏。其坚固的栅极氧化层设计可承受±20V的栅源电压，增强了对静电放电（ESD）和误操作的耐受性。此外，该器件符合RoHS指令要求，不含铅和其他有害物质，适用于绿色环保电子产品设计。综合来看，IRFE9024凭借其高性能参数、高可靠性及广泛的工作条件，成为许多中低功率电源管理应用的理想选择。

IRFE9024广泛应用于各类需要高效、可靠功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源管理模块，用于实现电池充放电控制、电源路径切换以及负载开关功能。在工业控制系统中，它可用于继电器替代、电机驱动电路的高端开关以及PLC输入输出模块中的固态开关元件。由于其P沟道特性，特别适合用于高端驱动配置，在H桥电路或半桥拓扑中作为上管使用，无需复杂的自举电路即可实现有效控制。
　　该器件也常用于DC-DC降压变换器（Buck Converter）中作为同步整流器或主开关管，利用其低导通电阻减少能量损耗，提高转换效率。在电池管理系统（BMS）中，IRFE9024可用于实现充放电回路的通断控制，提供反向电流阻断和过流保护功能。此外，它还可用于UPS不间断电源、电信设备电源单元、LED驱动电源以及各类嵌入式电源系统中，承担功率分配与隔离任务。
　　由于其具备良好的热性能和稳定的电气特性，IRFE9024也能胜任汽车电子中的非动力域应用，例如车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理等。其宽泛的工作温度范围使其能在极端气候条件下稳定运行。总之，凡是需要一个高性价比、高可靠性P沟道MOSFET来执行功率开关任务的场景，IRFE9024都是一个极具吸引力的选择。

IRF9Z34N, FQP27P06, STP55PF06, NTD4906N, DMG2906U