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IRFD9220 发布时间 时间:2025/7/14 16:02:57 查看 阅读:2

IRFD9220是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及负载开关等高效率电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻和快速开关特性,适用于高频率操作。

参数

类型:N沟道
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):6.4A @ TC=100°C
  最大功耗(Pd):1.7W
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.18Ω @ Vgs=10V
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

IRFD9220具有低导通电阻的特性,使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗并提高能效。其沟槽MOSFET结构提供了优异的热性能和高频响应能力,从而增强了系统的稳定性和可靠性。
  此外,该器件具备良好的抗雪崩能力和静电放电(ESD)保护,能够在苛刻的工作环境下保持稳定的性能。IRFD9220采用了小型化的表面贴装封装(如SO-8),节省了PCB空间,同时便于自动化装配。
  该MOSFET还支持快速开关操作,减少了开关过程中的能量损耗,非常适合用于PWM(脉宽调制)控制电路。其栅极驱动需求较低,可与多种类型的控制器直接配合使用,降低了设计复杂度。

应用

IRFD9220主要应用于中小型功率的电源管理系统,包括但不限于同步整流器、电池充电器、DC-DC降压/升压转换器、LED驱动电路以及工业自动化设备中的电机控制模块。
  它也可用于各种消费类电子产品,例如笔记本电脑、平板电脑、智能家电和网络通信设备中的负载开关和电源管理单元。
  由于其高可靠性和紧凑型封装,IRFD9220也常被用在汽车电子系统中,如车载充电系统、车身控制模块以及LED照明控制系统等对空间和效率要求较高的场合。

替代型号

Si4410BDY, FDS4435, IRF7413, AO4406

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IRFD9220参数

  • 数据列表IRFD9220
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C560mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 340mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds340pF @ 25V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳4-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商设备封装4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFD9220