类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：20 V
　　最大连续漏极电流（Id）：2.9 A
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：58 mΩ @ Vgs = 10 V
　　漏源导通电阻（Rds(on)）：75 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.0 V
　　栅极电荷（Qg）：5.8 nC @ Vgs = 10 V
　　输入电容（Ciss）：275 pF @ Vds = 10 V
　　功率耗散（Pd）：1 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

IRFD223采用先进的沟槽型MOSFET工艺，这种结构通过在硅片表面刻蚀深沟槽并填充栅极材料，显著增加了单位面积内的沟道密度，从而有效降低了导通电阻Rds(on)，提高了电流处理能力。该器件在Vgs=10V时的典型Rds(on)仅为58mΩ，在Vgs=4.5V时为75mΩ，表明其在中低电压驱动条件下依然具备出色的导通性能，特别适合由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的应用场景。低Rds(on)不仅减少了导通状态下的功率损耗，还降低了发热，有助于提升系统整体效率和可靠性。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保在低电压控制信号下即可实现快速开启，支持现代微处理器和低电压逻辑电路的直接接口，无需额外的电平转换或驱动电路。这一特性使其非常适合用于电池供电设备中的电源管理开关，如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等对能耗极为敏感的产品。
　　IRFD223具有较低的栅极电荷（Qg=5.8nC），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，从而加快了开关速度，减小了开关损耗，特别有利于高频PWM控制应用，如DC-DC降压变换器或LED调光电路。同时，其输入电容仅为275pF，进一步降低了高频工作的驱动负担。
　　器件的最大漏源电压为20V，最大连续漏极电流可达2.9A，结合1W的功率耗散能力，能够在紧凑的空间内实现高效的电力切换功能。SOT-23封装虽然体积小巧，但经过优化的引脚布局和内部连接设计保证了良好的热传导性能和电气稳定性。此外，该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的长期运行需求，包括工业自动化设备和汽车电子外围电路。
　　IRFD223还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了其在实际应用中的鲁棒性。尽管未内置体二极管，但在许多单向开关应用中可通过外部并联二极管来实现反向电流保护。总体而言，IRFD223是一款集高性能、小尺寸和易用性于一体的N沟道MOSFET，是中小功率开关电路的理想选择。

IRFD223广泛应用于需要高效、小型化开关解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同模块的供电通断，以实现节能和延长电池寿命。在DC-DC转换器中，它常作为同步整流器或低端开关使用，凭借其低导通电阻和快速响应能力，显著提高电源转换效率。此外，该器件也适用于电机驱动电路中的初级开关元件，尤其是在微型直流电机或步进电机的驱动前端，能够实现精确的启停控制和方向切换。
　　在LED照明系统中，IRFD223可用于恒流源的开关控制或PWM调光电路，利用其快速开关特性和低驱动需求，实现高效、稳定的亮度调节。其逻辑电平兼容性使其可以直接由微控制器GPIO引脚驱动，简化了硬件设计，降低了BOM成本。
　　该MOSFET还常见于各类固态继电器（SSR）设计中，替代传统机械继电器，提供无触点、长寿命的开关功能，适用于工业自动化信号隔离和控制回路。在电源多路复用器、热插拔电路和过流保护模块中，IRFD223也能发挥关键作用，配合检测电路实现自动断电保护。
　　由于其SOT-23封装的小型化优势，IRFD223特别适合高密度PCB布局，广泛用于智能手机、平板电脑、无线耳机、智能家居传感器节点等空间受限产品中。同时，其宽温度工作范围也支持在户外设备、车载附件和工业环境下的稳定运行。

IRLML6244, FDN340P, SI2302DS, AO3400, BSS138