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IRFD123PBF 发布时间 时间:2023/3/7 17:18:59 查看 阅读:485

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

   


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:-

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 780mA, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :360pF @ 25V

    功率 - 最大:1.3W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:4-DIP (0.300", 7.62mm)

    包装:管件

    供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP

    其它名称:*IRFD123PBF


资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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IRFD123PBF参数

  • 数据列表IRFD123
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 780mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds360pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳4-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商设备封装4-DIP,Hexdip,HVMDIP
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFD123PBF