类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:-
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 780mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:16nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :360pF @ 25V
功率 - 最大:1.3W
安装类型:通孔
封装/外壳:4-DIP (0.300", 7.62mm)
包装:管件
供应商设备封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP
其它名称:*IRFD123PBF
厂商 |
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VISHAY |
Vishay Semiconductors |