类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.4A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：3.5A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.32Ω @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.4Ω @ VGS=4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：220pF @ VDS=25V
　　开启延迟时间（td(on)）：8ns
　　关断延迟时间（td(off)）：25ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

IRFD123 N沟道MOSFET采用英飞凌成熟的沟槽栅极技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其典型的RDS(on)仅为0.32Ω（在VGS=10V时），而在常见的逻辑电平驱动条件下（如VGS=4.5V），RDS(on)也仅为0.4Ω，这使得它非常适合用于低电压、中等电流的功率开关应用。这种低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统的整体能效，尤其在电池供电设备中延长了运行时间。
　　该器件的栅极电荷（Qg）非常低，典型值约为6nC，这意味着驱动它所需的能量极少，从而减轻了驱动电路的负担，并有助于实现更高的开关频率。同时，输入电容（Ciss）仅为220pF，进一步降低了高频应用中的动态损耗。这些特性使IRFD123成为高频DC-DC转换器、同步整流器和负载开关的理想选择。
　　IRFD123具备快速的开关响应能力，开启延迟时间为8ns，关断延迟时间为25ns，确保在高速开关操作中保持高效且可控。其阈值电压范围为1.0V至2.0V，允许在3.3V甚至更低的逻辑电平下可靠开启，增强了与现代低电压控制芯片的兼容性。此外，器件具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，在电源突变或感性负载切换过程中能够承受一定的电压应力，提升系统鲁棒性。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还具备良好的散热性能，通过适当的PCB铜箔设计可有效传导热量。该器件无铅且符合RoHS指令要求，适用于自动化贴片生产工艺。总体而言，IRFD123是一款高性能、高可靠性的MOSFET，兼顾了小型化、高效率和易用性，是许多中小型功率开关应用中的优选器件。

IRFD123广泛应用于需要小型化、高效率开关解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的电源通断，以节省能耗并延长电池寿命。在DC-DC降压或升压转换器中，它可作为低边开关或同步整流器使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性提高转换效率。此外，该器件适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件，实现精确的启停和方向控制。
　　在电源管理系统中，IRFD123可用于热插拔电路、过流保护开关或多电源路径选择开关，其快速响应能力有助于防止故障扩散。它也常用于LED驱动电路中，作为恒流调节或调光控制的开关元件。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机和可穿戴设备中，IRFD123因其小尺寸和高性能而被广泛采用。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于传感器电源管理、继电器驱动接口或PLC输入输出模块中的信号切换。通信设备中的隔离电源开关、USB端口电源控制等也是其典型应用场景。由于其工作温度范围宽（-55°C至+150°C），IRFD123还能适应较为严苛的环境条件，适用于汽车电子外围电路、工业自动化设备和户外电子装置。总之，任何需要在有限空间内实现高效、可靠开关功能的设计都可以考虑使用IRFD123。

IRLML6344, FDN340P, SI2302DS, AO3400, BSS138