时间：2025/8/28 17:31:34
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IRFC3810是一款由Infineon Technologies生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高频开关应用设计，采用了先进的沟槽式技术，提供了优异的导通电阻和开关性能。IRFC3810常用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和负载开关等高效率电源转换系统中。该MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力，适合在紧凑型电源设计中使用。
类型：N沟道
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：160A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ（在Vgs=10V时）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
IRFC3810采用Infineon先进的沟槽式功率MOSFET技术，具备极低的导通电阻和优异的热性能，能够在高电流条件下保持稳定工作。其Rds(on)最大值仅为4.5mΩ，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件支持高达160A的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力。IRFC3810的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于各种高功率密度设计。此外，该MOSFET具有较高的dv/dt抗扰能力，有助于提高系统的稳定性与可靠性。其工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
IRFC3810广泛应用于各类高效率电源系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统、负载开关以及高功率LED驱动器等。由于其出色的电流承载能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能、高可靠性的开关电源和功率管理模块中。此外，该MOSFET也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及太阳能逆变器等高功率应用场景。
SiR380DP-T1-GE3, FDS4810S, IRF3205
