时间：2025/6/17 18:41:34
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IRFBG30PBF 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用TO-263封装，适用于需要高效率和低导通损耗的开关应用。其优化的栅极电荷和导通电阻设计使其非常适合于高频开关电路以及电源管理领域。
这款MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少功率损耗，同时具备良好的热稳定性和耐受能力。由于其出色的电气性能，IRFBG30PBF在各类工业及消费类电子设备中被广泛使用。
最大漏源电压：55V
最大连续漏电流：19A
最大脉冲漏电流：78A
导通电阻：20mΩ
栅极电荷：46nC
总电容（Ciss）：1320pF
开关时间：典型值 t_on=15ns, t_off=35ns
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
IRFBG30PBF 的主要特性包括以下几点：
1. 低导通电阻（Rds(on)），确保在大电流条件下仍然维持较低的功率损耗。
2. 高效的开关性能，得益于优化的栅极电荷设计，可以显著降低开关损耗。
3. TO-263封装形式，便于表面贴装工艺集成。
4. 良好的热稳定性，能够在高温环境下持续运行。
5. 优异的短路耐受能力，增强了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
这些特性使IRFBG30PBF成为高频DC-DC转换器、电机驱动器以及负载切换等应用的理想选择。
IRFBG30PBF 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的功率级控制。
2. 各种工业电机驱动器中的功率开关元件。
3. 消费类电子产品中的负载切换电路。
4. DC-DC转换器和逆变器模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护和控制功能。
6. 电信设备中的高效功率转换。
由于其强大的性能表现，IRFBG30PBF在需要高性能功率开关的应用场合中表现出色。
IRFZ44N, IRFBG30N, STP19NF55
