时间：2025/5/22 23:53:15
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IRFBC30是一款N沟道功率MOSFET，属于Infineon Technologies的IRFB系列。该器件专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、电源适配器、笔记本电脑电源和其他需要高效能功率管理的场景。
IRFBC30采用了TO-220封装形式，具备出色的散热性能，同时能够承受较高的电流和电压。其内部结构经过优化，能够在高频工作条件下保持较低的损耗。
最大漏源电压：55V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：17A
导通电阻（典型值）：8.5mΩ
总功耗：140W
结温范围：-55℃至+150℃
栅极电荷（典型值）：23nC
反向恢复时间：12ns
IRFBC30具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高负载电流下减少功率损耗。
2. 高速开关性能，适用于高频开关电源和PWM控制器。
3. 采用TO-220标准封装，便于安装和散热管理。
4. 符合RoHS标准，环保且可靠。
5. 良好的热稳定性，能够在极端温度范围内正常运行。
6. 内部集成保护机制，提高器件的耐用性和安全性。
IRFBC30广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）设计中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的功率控制组件。
4. 充电器及电源适配器的高效功率管理模块。
5. 笔记本电脑及其他便携式电子设备的电源管理系统。
6. 工业控制设备中的功率调节单元。
IRFZ44N
STP17NF55
AO3400
FDP17N5
