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IRFBC30 发布时间 时间:2025/5/22 23:53:15 查看 阅读:18

IRFBC30是一款N沟道功率MOSFET,属于Infineon Technologies的IRFB系列。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于DC-DC转换器、电源适配器、笔记本电脑电源和其他需要高效能功率管理的场景。
  IRFBC30采用了TO-220封装形式,具备出色的散热性能,同时能够承受较高的电流和电压。其内部结构经过优化,能够在高频工作条件下保持较低的损耗。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  总功耗:140W
  结温范围:-55℃至+150℃
  栅极电荷(典型值):23nC
  反向恢复时间:12ns

特性

IRFBC30具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在高负载电流下减少功率损耗。
  2. 高速开关性能,适用于高频开关电源和PWM控制器。
  3. 采用TO-220标准封装,便于安装和散热管理。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 良好的热稳定性,能够在极端温度范围内正常运行。
  6. 内部集成保护机制,提高器件的耐用性和安全性。

应用

IRFBC30广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器的核心功率器件。
  3. 电机驱动电路中的功率控制组件。
  4. 充电器及电源适配器的高效功率管理模块。
  5. 笔记本电脑及其他便携式电子设备的电源管理系统。
  6. 工业控制设备中的功率调节单元。

替代型号

IRFZ44N
  STP17NF55
  AO3400
  FDP17N5

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IRFBC30参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.2 欧姆 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds660pF @ 25V
  • 功率 - 最大74W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFBC30