时间：2023/3/8 11:27:02
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET?
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：23 毫欧 @ 59A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：98A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：240nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6080pF @ 25V
功率 - 最大：650W
安装类型：通孔
封装/外壳：Super-220?-3（直引线）
包装：管件
供应商设备封装：SUPER-220? (TO-273AA)
其它名称：*IRFBA90N20DPBF
| 厂商 |
|---|
| Infineon Technologies |
