类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：500V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25℃：8A
　　漏极功耗（Pd）：110W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-220AB
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.95Ω（最大1.25Ω）
　　栅极电荷（Qg）：29nC
　　输入电容（Ciss）：1200pF

IRFB830具备低导通电阻的特点，有助于降低导通损耗并提高整体效率。该器件采用先进的平面技术，提供优异的热稳定性和高可靠性。
　　其高耐压能力（500V）使其适用于高压电源转换系统，例如开关电源（SMPS）和DC-DC变换器。此外，该MOSFET具有良好的热阻特性，确保在高温环境下依然能够稳定运行。
　　IRFB830的封装形式为TO-220AB，便于安装在标准散热片上，增强散热性能。该封装还具备良好的电气隔离能力，适用于多种工业和汽车电子应用。
　　该器件的栅极驱动要求较低，适合与多种类型的控制IC搭配使用，简化了驱动电路的设计。此外，其快速开关特性有助于提高转换效率，减少开关损耗，适用于高频工作场景。

IRFB830广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC和DC-DC转换电路，提供高效率的功率转换。
　　2. 电机控制：在直流电机驱动和变频器中作为功率开关使用。
　　3. UPS系统：用于不间断电源中的逆变器和充电电路。
　　4. 工业自动化设备：如PLC、变频器和伺服驱动器中的功率控制部分。
　　5. 汽车电子：包括车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统等。
　　6. LED照明驱动：适用于高功率LED照明设备的电源管理模块。

IRF840、IRF820、STP8NK50Z、FQA8N50C