时间：2025/6/28 20:01:50
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IRFB7546PBF是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道功率MOSFET，采用PQFN3*3-8封装形式。该器件主要应用于需要高效能开关操作的场景，如直流电机驱动、负载开关、电源管理电路和便携式电子设备等。它具备低导通电阻和高切换速度的特点，从而有助于降低功耗并提升系统效率。
这款MOSFET具有出色的热性能表现，同时其小尺寸封装使其非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：12A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：145pF
工作温度范围：-55℃至175℃
IRFB7546PBF的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.8mΩ，能够在高电流应用中显著减少传导损耗。
2. 高效节能设计，适用于高频开关应用。
3. 小型化PQFN3*3封装，有助于节省PCB空间。
4. 良好的热稳定性和耐用性，适合在恶劣环境下运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅工艺生产。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 电池供电的便携式设备，例如智能手机和平板电脑中的负载开关。
2. 各类DC/DC转换器和降压稳压器模块。
3. 电动工具和小型家电中的电机控制电路。
4. 工业自动化设备中的信号调节与保护电路。
5. 汽车电子系统的电源管理单元以及LED照明驱动方案。
IRLB8729PBF, SI4480DP
