IRFB7545 时间：2025/12/26 19:17:54 阅读：9

IRFB7545是一款由Infineon Technologies生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率功率转换场景。该器件采用先进的沟槽技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点。其封装形式为TO-220AB，具有良好的散热性能和机械强度，适合在工业级温度范围内可靠运行。IRFB7545的设计注重能效与可靠性，能够在高频率下保持较低的开关损耗，适用于需要高效能功率控制的应用场合。该MOSFET支持较高的漏源电压（VDS），使其在100V级别的应用中表现出色，是许多中等功率系统中的理想选择之一。

参数

型号：IRFB7545
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管极性：N沟道
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：38 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：152 A
　　功耗（PD）：200 W
　　导通电阻（RDS(on)）：0.022 Ω @ VGS = 10 V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.028 Ω @ VGS = 4.5 V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：2300 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容（Coss）：490 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：69 ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

IRFB7545采用Infineon先进的沟槽型场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其典型导通电阻在VGS=10V时仅为22mΩ，这显著降低了在大电流应用中的传导损耗，提高了系统的整体效率。此外，在VGS=4.5V条件下仍能保持28mΩ的低RDS(on)，表明该器件在低电压驱动条件下依然具备良好的导通能力，适用于使用逻辑电平信号直接驱动的场合。器件的输入电容为2300pF，输出电容为490pF，具备适中的电容特性，可在高频开关环境中实现快速的栅极驱动响应，同时避免过高的驱动功率需求。其反向恢复时间trr为69ns，体二极管的恢复特性良好，有助于减少在桥式电路或感性负载切换过程中产生的电压尖峰和电磁干扰。
　　该MOSFET的最大漏源电压为100V，可安全用于各类12V至48V系统中的高边或低边开关，如电动工具、电动车控制器、工业电源模块等。其连续漏极电流高达38A（在25°C下），并支持高达152A的脉冲电流，展现了出色的瞬态负载处理能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，确保了在极端环境条件下的稳定运行。TO-220AB封装不仅提供了优良的热传导路径，还便于安装散热片，有效管理功率损耗带来的热量积累。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且具备高可靠性，适用于汽车电子、工业自动化和可再生能源系统等多种严苛应用场景。

应用

IRFB7545广泛应用于各类中高功率电子系统中，特别是在需要高效开关操作的直流电源转换领域表现突出。常见应用包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中其低导通电阻可显著降低能量损耗，提高转换效率。在电机驱动电路中，如直流电机或步进电机的H桥驱动拓扑中，IRFB7545能够承受较大的瞬态电流，并提供快速的开关响应，从而实现精确的速度和方向控制。此外，它也常用于负载开关、热插拔电源管理模块以及电池供电设备的电源通断控制。
　　在工业电源系统中，该器件可用于AC-DC电源的次级侧整流或PFC（功率因数校正）电路中的开关元件。由于其具备良好的高温稳定性和抗雪崩能力，IRFB7545也被推荐用于太阳能逆变器、UPS不间断电源和LED驱动电源等对可靠性要求较高的设备中。在汽车电子领域，尽管并非专为车规设计，但其性能参数使其可应用于非安全关键的车载电源系统，如车灯控制、风扇驱动或辅助电源模块。总之，凡是在100V以内、需要大电流、低损耗开关功能的场合，IRFB7545都是一个值得考虑的高性能解决方案。