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IRFB7534 发布时间 时间:2025/5/23 0:18:37 查看 阅读:8

IRFB7534是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Infineon Technologies(英飞凌)生产。该器件采用TO-263-3封装形式,广泛应用于需要高效能开关和低导通电阻的电路中。其主要特点是高效率、低导通损耗以及良好的热性能。IRFB7534适用于多种工业及消费类电子设备,例如电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等应用。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻:8.5mΩ
  总功耗:125W
  工作结温范围:-55℃ to +175℃

特性

IRFB7534具备出色的电气特性和可靠性:
  1. 高效的开关性能,能够显著降低功率损耗。
  2. 极低的导通电阻,确保在大电流应用中保持较低的发热。
  3. 提供快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提升系统效率。
  4. TO-263-3封装提供优良的散热能力,使其适合高温环境下的运行。
  5. 符合RoHS标准,环保且兼容现代制造工艺。
  这些特点使得IRFB7534成为众多功率转换和控制应用中的理想选择。

应用

IRFB7534适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心组件。
  3. 电池充电管理电路中的负载开关。
  4. 电机驱动电路中的功率级元件。
  5. 各种工业和消费类电子设备中的功率管理模块。
  由于其高效的性能和可靠的特性,IRFB7534可以满足不同领域的严苛需求。

替代型号

IRF7534, IRFB7534PBF

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