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IRFB7434PBF 发布时间 时间:2024/8/23 15:37:06 查看 阅读:766

改进的门、雪崩和动态dV/dt坚固性
  全特征电容和雪崩SOA
  增强体二极管dV/dt和dI/dt能力2
  无铅
  符合RoHS标准,无卤素*

应用说明

有刷电机驱动应用
  BLDC电机驱动应用
  电池供电电路
  半桥和全桥拓扑
  同步整流器应用
  谐振模式电源
  OR和冗余电源开关
  DC/DC和AC/DC转换器
  直流/交流逆变器

技术参数

额定功率:294 W
  针脚数:3
  漏源极电阻:0.00125Ω
  极性:N-Channel
  耗散功率:294 W
  阈值电压:3 V
  输入电容:10820 pF
  漏源极电压(Vds):40 V
  漏源击穿电压:40 V
  连续漏极电流(Ids):317A
  上升时间:68 ns
  输入电容(Ciss):10820pF 25V(Vds)
  额定功率(Max):294 W
  下降时间:68 ns
  工作温度(Max):175℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):294W(Tc)

封装参数

安装方式:Through Hole
  引脚数:3
  封装:TO-220-3

外形尺寸

长度:10.67 mm
  宽度:4.83 mm
  高度:16.51 mm
  封装:TO-220-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tube
  制造应用:电机驱动与控制,消费电子产品,电源管理

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IRFB7434PBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列StrongIRFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C195A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.6 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs324nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds10820 @ 25V
  • 功率 - 最大294W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件