型号：IRFB5620
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压VDS：200V
　　连续漏极电流ID：41A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流IDM：162A
　　导通电阻RDS(on)：max 0.055Ω @ VGS=10V
　　栅源阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷Qg：93nC（典型值）
　　输入电容Ciss：3380pF @ VDS=25V
　　输出电容Coss：180pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间trr：45ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-247

IRFB5620采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，这种结构优化了载流子的流动路径，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。其最大RDS(on)仅为55mΩ，在200V耐压等级的MOSFET中属于较低水平，这使得它在大电流应用中表现出色，尤其适合用于同步整流或高效率DC-DC变换器中。低RDS(on)不仅提升了能效，也减轻了散热设计的压力，有助于缩小整体电源系统的体积。
　　该器件的栅极电荷Qg为93nC，相对较低，意味着在高频开关应用中所需的驱动功率较小，有利于提升开关频率并减少驱动电路的设计复杂度。同时，其输入电容和输出电容均经过优化，确保在高速开关过程中具有较快的响应速度和较低的动态损耗。这对于诸如LLC谐振转换器、硬开关全桥拓扑等对开关性能要求较高的应用尤为重要。
　　IRFB5620具备出色的热稳定性和长期可靠性，其TO-247封装提供了优良的热传导路径，能够将芯片产生的热量高效传递至散热器，避免因局部过热导致性能下降或失效。该器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工业环境条件。此外，内置的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=45ns），可有效抑制电压尖峰，降低电磁干扰（EMI），在电机驱动或感性负载切换场景中提供更好的保护能力。
　　安全性方面，IRFB5620通过了多项国际认证，符合RoHS环保标准，并具备良好的抗雪崩能力和dv/dt耐受性，能够在瞬态过压或负载突变情况下保持稳定运行。这些特性使其成为工业电源、UPS不间断电源、焊接设备、光伏逆变器等高可靠性系统中的理想选择。

IRFB5620广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在升压PFC（功率因数校正）级中作为主开关管使用，凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并降低温升。在DC-DC转换器中，尤其是半桥或全桥拓扑结构中，该器件可用于实现高效的能量传输与调节，适用于服务器电源、通信电源等对能效要求严格的领域。
　　在电机驱动应用中，IRFB5620可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的功率驱动模块，其高电流承载能力和快速响应特性可确保电机平稳启动与精确控制。此外，在太阳能光伏逆变器中，该MOSFET常用于直流侧开关或MPPT（最大功率点跟踪）电路中，帮助实现高效的能量转换。
　　其他应用还包括不间断电源（UPS）、电池充电系统、感应加热设备、电焊机电源以及LED大功率驱动电源等。由于其具备良好的热管理和抗冲击能力，也适用于工业自动化控制系统中的功率输出级。无论是连续工作还是间歇性高负载运行，IRFB5620都能保持稳定的性能表现，满足多种复杂工况下的需求。

SPB5620-H11-A, IRFP5620, FDP5620, STP5620