时间：2025/4/28 15:27:51
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IRFB52N15D是英飞凌（Infineon）公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，适用于高频开关应用和电源管理领域。
该型号具有低导通电阻、高效率以及快速开关特性，适合在各种工业及消费类电子设备中使用，如开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：49nC
总电容：320pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
IRFB52N15D是一款高性能的MOSFET器件，主要特点包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在特定条件下可以达到0.18Ω，从而减少导通损耗并提升整体效率。
2. 快速开关能力，得益于其较小的栅极电荷和总电容，能够适应高频开关的应用场景。
3. 较高的漏源击穿电压（150V），确保在高压环境下依然具备良好的稳定性和可靠性。
4. 大电流处理能力，额定连续漏极电流为20A，可满足多种大功率应用的需求。
5. 宽广的工作温度范围，支持从-55℃到+150℃的环境温度，适合恶劣工况下的使用。
6. TO-263封装形式，便于安装和散热设计，同时提供良好的电气性能。
IRFB52N15D广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关管或同步整流管。
2. 各种类型的DC-DC转换器，例如降压、升压或反激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 消费类电子产品中的负载切换和保护电路。
6. 其他需要高效功率转换和控制的应用场合。
IRFB52N15PBF, IRFB52N15PbF
