型号：IRFB4668
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（Vds）：100 V
　　最大连续漏极电流（Id）：92 A
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：370 A
　　最大功耗（Ptot）：250 W
　　导通电阻（Rds(on)）：12.5 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 46 A
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1 V ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：4040 pF @ Vds = 50 V
　　反向恢复时间（trr）：49 ns
　　工作结温范围：-55 °C ~ +175 °C
　　封装类型：TO-247AC

IRFB4668的核心优势在于其采用了英飞凌先进的沟槽式MOSFET工艺，这种结构显著降低了单位面积上的导通电阻，从而实现了仅12.5毫欧的超低Rds(on)，有效减少了导通状态下的功率损耗，特别适合大电流应用场景。同时，该器件的高电流承载能力（高达92A连续漏极电流）使其能够在高功率密度设计中替代多个并联的小功率MOSFET，简化电路布局并提升系统可靠性。其TO-247封装具备优异的热传导性能，允许器件在高温环境下长时间运行而不会发生热失效。
　　另一个关键特性是其出色的开关性能。由于具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），IRFB4668在高频开关应用中表现出色，能够显著降低驱动损耗和开关过渡时间，进而提高电源系统的整体转换效率。这对于现代高频率DC-DC变换器和同步整流拓扑尤为重要。此外，该MOSFET具有较强的抗雪崩能力，能够在突发短路或感性负载断开时承受一定的能量冲击而不损坏，提升了系统的故障容忍度。
　　从可靠性角度来看，IRFB4668经过严格的质量控制流程，具备宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C），适应极端环境条件。其栅极氧化层经过优化处理，具备较高的耐压能力和长期稳定性，避免因栅极击穿导致的早期失效。器件还具备较低的热阻（Rth(j-c)），确保热量能够迅速从结传递到外壳，进一步增强散热效果。这些综合特性使得IRFB4668成为工业电机驱动、服务器电源、电信整流器以及电动汽车辅助电源等高端应用的理想选择。

IRFB4668广泛用于需要高效能、高可靠性的电力转换系统中。典型应用包括开关模式电源（SMPS），尤其是在大功率AC-DC和DC-DC转换器中作为主开关或同步整流器使用；在电机驱动领域，可用于直流无刷电机控制器中的H桥或半桥拓扑结构，实现精确的速度与转矩控制；此外，在不间断电源（UPS）、逆变器和太阳能微逆系统中，该器件凭借其低导通损耗和高开关速度，有助于提升能源利用效率。
　　在工业自动化设备中，IRFB4668常被用作高侧或低侧负载开关，控制加热元件、电磁阀或其他执行机构的通断。其高电流能力也使其适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制路径，特别是在电动工具和轻型电动车中。在通信基础设施方面，如基站电源模块和数据中心服务器电源单元中，该MOSFET可满足高效率、高功率密度的设计需求。
　　此外，IRFB4668还可用于焊接设备、感应加热装置等高瞬态电流场合。其抗雪崩能力和坚固的封装结构使其在存在电压尖峰和电磁干扰的恶劣电气环境中仍能保持稳定运行。得益于其标准化的TO-247封装，该器件易于安装和更换，便于维护和批量生产。

IRFP4668
　　SPB46N10LC
　　FDB4668L