时间：2025/7/24 18:40:15
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IRFB4610TRR 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管专为高效率电源管理应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力，适用于各种高电压和高电流的应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：100V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：75A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 5.5mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：280W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
引脚数：3
晶体管配置：单
IRFB4610TRR MOSFET 的主要特性包括其高电流处理能力和低导通电阻，使其在电源转换应用中表现出色。其低 Rds(on) 特性可降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐用性和热稳定性，可在高功率应用中保持稳定运行。
该 MOSFET 支持快速开关操作，适合用于高频电源转换器。其封装形式（TO-220AB）便于安装和散热管理，适合工业级应用需求。器件的栅极驱动电压范围宽，可在不同控制电路中灵活使用。
IRFB4610TRR 还具有良好的短路耐受能力和高雪崩能量承受能力，增强了其在严苛环境中的可靠性。
IRFB4610TRR MOSFET 广泛应用于各种高功率电子设备和系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制、电池充电器、逆变器、UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器以及各种工业自动化和电源管理系统。
此外，该器件还可用于高性能音频放大器和负载开关电路中，提供高效能和稳定性能。
IRF1405, IRF3710, IRFB3006, SiHF4610
