IRFB4310是一款由英飞凌(Infineon)推出的N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,广泛应用于功率转换、电机驱动和负载开关等领域。其封装形式为PQFN5656-28L,具有良好的散热特性和紧凑的设计,非常适合空间受限的应用场合。
IRFB4310的主要特点是其优化的RDS(on)特性,在较低的栅极驱动电压下仍能保持高效的性能,从而降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:29A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:37nC
总电容:3400pF
工作温度范围:-55°C to 175°C
IRFB4310属于高效能功率MOSFET系列,具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(RDS(on)),在10V栅极驱动电压下仅为1.4mΩ,显著降低了传导损耗。
2. 高额定电流能力,支持高达29A的连续漏极电流。
3. 良好的热性能,采用PQFN5656-28L封装,增强了散热效果。
4. 快速开关特性,栅极电荷仅为37nC,有助于减少开关损耗。
5. 宽泛的工作温度范围,从-55°C到175°C,适应各种极端环境应用。
6. 小型化设计,适合需要高功率密度的电路布局。
7. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
IRFB4310因其卓越的性能而适用于多种功率管理场景,包括但不限于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
2. 电机驱动器中的H桥或半桥配置。
3. 功率因数校正(PFC)电路中的开关元件。
4. 负载切换和保护电路。
5. DC-DC转换器中的同步整流开关。
6. 汽车电子系统中的大电流控制开关。
7. 工业设备中的功率控制模块。
IRF4310, IRFS4310