时间：2025/4/27 17:06:43
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IRFB3207Z 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 TO-247 封装，适用于高功率应用场合。其设计旨在满足高效能开关电源、电机驱动以及工业控制等领域的需求。
该器件具有较低的导通电阻和较高的工作电压，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
最大漏源电压：150V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：80A
导通电阻（典型值）：6mΩ
总栅极电荷：90nC
输入电容：2220pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
IRFB3207Z 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 6mΩ，从而减少传导损耗。
2. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关性能，得益于其较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗。
4. 高额定电流和电压使得该器件适用于大功率应用环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
IRFB3207Z 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 各类工业设备中的功率控制模块。
5. 电动汽车充电站及车载电子系统的功率管理部分。
IRFP260N, IRFZ44N
