型号：IRFB31N20D
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：200 V
　　最大漏极电流（Id）：31 A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.065 Ω（最大值，Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.1 V ~ 4.0 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30 V
　　功耗（Pd）：200 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C ~ +150 °C
　　输入电容（Ciss）：1800 pF（典型值，Vds=25V）
　　输出电容（Coss）：190 pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：55 ns（典型值）
　　封装形式：TO-220FP

IRFB31N20D采用了英飞凌先进的超级结（Superjunction）技术，这一结构显著提升了器件在高压应用中的性能表现。传统MOSFET在提高击穿电压的同时往往会导致导通电阻急剧上升，而超级结技术通过交替排列P型和N型柱状区域，实现了电荷平衡，从而在保持高耐压能力的同时大幅降低Rds(on)。这种设计有效提高了器件的品质因数（FOM = Rds(on) × Qg），使得IRFB31N20D在200V耐压等级下仍具备仅为65mΩ的最大导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统能效。该MOSFET具有出色的开关特性，其输入电容和反向传输电容较小，配合低栅极电荷（Qg），使得器件能够在高频开关条件下运行而不会产生过高的驱动损耗。这对于现代高频率工作的开关电源尤为重要，可有效减小磁性元件体积并提高功率密度。
　　另一个关键特性是其优化的体二极管性能。在许多拓扑结构如LLC谐振变换器或同步整流电路中，MOSFET的体二极管会频繁导通，若反向恢复电荷过大，将导致显著的开关损耗甚至电压尖峰。IRFB31N20D通过工艺优化降低了体二极管的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），典型值仅为55ns，从而减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够承受一定的重复性电感放电应力，提升了系统在瞬态过压或负载突变情况下的鲁棒性。
　　热性能方面，TO-220FP封装提供了良好的散热路径，结合低热阻特性，使得器件在高功率工作条件下仍能维持较低的结温。这不仅延长了器件寿命，也提高了系统的长期可靠性。同时，该封装形式便于安装在散热片上，适用于工业级严苛环境。IRFB31N20D还具备良好的dv/dt和di/dt抗扰能力，避免误触发或闩锁效应的发生。总体而言，该器件在高压、大电流、高效率应用场景中展现了卓越的综合性能，是现代电源设计中理想的功率开关选择。

IRFB31N20D广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适合需要高效率与高可靠性的工业和通信领域。其典型应用包括AC-DC开关电源，特别是在功率因数校正（PFC）升压级电路中作为主开关器件使用，能够有效降低导通损耗并提升整体能效。在DC-DC转换器中，如半桥、全桥或LLC谐振拓扑结构中，该MOSFET凭借其快速开关特性和低栅极电荷，可在高频条件下实现高效能量转换，适用于服务器电源、基站电源及工业电源模块。此外，在光伏逆变器系统中，IRFB31N20D可用于直流侧的开关单元，处理来自太阳能面板的高压直流电，实现高效的逆变转换。其200V耐压等级足以覆盖多数光伏阵列的输出电压范围，同时低导通电阻有助于减少系统发热。
　　在电机驱动应用中，该器件可用于中小型电机的H桥或三相逆变电路，提供快速响应和高效控制。由于其具备良好的体二极管反向恢复特性，能够有效抑制换向过程中产生的电压尖峰，从而保护驱动电路。在不间断电源（UPS）系统中，IRFB31N20D常用于逆变级或DC总线开关，确保在市电中断时迅速切换至电池供电模式，并维持稳定的交流输出。此外，该器件还可用于高亮度LED驱动电源、医疗电源设备以及电动汽车充电模块中的辅助电源部分。得益于其工业级温度范围和高可靠性设计，IRFB31N20D在恶劣环境下的长期稳定运行能力得到了广泛验证，是多种高端电力电子系统的优选功率器件。

SPW31N20CFD-GE3
　　STW31N20C
　　IPB31N20N