IRFB260N是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。
这款MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性著称,能够显著提高系统效率并降低功耗。其额定电压为40V,适用于低压大电流的应用场景。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:58A
导通电阻:1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:36nC(典型值)
开关速度:快速开关
封装形式:TO-220
工作温度范围:-55°C至+175°C
IRFB260N具有非常低的导通电阻,这使得它在大电流应用中表现出优异的效率。同时,其较低的栅极电荷有助于减少开关损耗,非常适合高频开关操作。
此外,该MOSFET具备强大的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,并且拥有较宽的工作温度范围,适应多种工业环境。
IRFB260N还具备较高的雪崩击穿能量能力,增强了其在异常条件下的耐用性。
该MOSFET广泛用于各种电力电子设备中,例如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动工具、汽车电子以及消费类电子产品中的高效功率转换电路。
其典型应用场景包括但不限于:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC转换器
- 电机驱动与控制
- 负载切换和保护电路
- 电池管理系统(BMS)
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L