您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRFB260N

IRFB260N 发布时间 时间:2025/5/12 20:56:06 查看 阅读:4

IRFB260N是一款由Infineon(英飞凌)生产的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。
  这款MOSFET以其低导通电阻和快速开关特性著称,能够显著提高系统效率并降低功耗。其额定电压为40V,适用于低压大电流的应用场景。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:58A
  导通电阻:1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:36nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

IRFB260N具有非常低的导通电阻,这使得它在大电流应用中表现出优异的效率。同时,其较低的栅极电荷有助于减少开关损耗,非常适合高频开关操作。
  此外,该MOSFET具备强大的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,并且拥有较宽的工作温度范围,适应多种工业环境。
  IRFB260N还具备较高的雪崩击穿能量能力,增强了其在异常条件下的耐用性。

应用

该MOSFET广泛用于各种电力电子设备中,例如不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动工具、汽车电子以及消费类电子产品中的高效功率转换电路。
  其典型应用场景包括但不限于:
  - 开关模式电源(SMPS)
  - DC-DC转换器
  - 电机驱动与控制
  - 负载切换和保护电路
  - 电池管理系统(BMS)

替代型号

IRFZ44N
  STP55NF06
  FDP55N06L

IRFB260N推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRFB260N资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载