IRFB17N50 时间：2025/12/26 21:08:46 阅读：6

IRFB17N50是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的高压、高功率N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效开关性能的电源管理系统中。该器件属于CoolMOS?系列，专为600V应用而设计，适用于多种工业、消费类和电信设备中的功率转换电路。IRFB17N50采用了先进的超结（Superjunction）技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），同时保持了优异的开关特性，从而提高了整体系统效率并减少了散热需求。该MOSFET采用TO-247封装，具有良好的热传导性能，适合在高功率密度环境中使用。其引脚配置为三引脚结构：源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain），便于集成到各种电路拓扑中，如反激式转换器、正激式转换器、PFC（功率因数校正）电路以及DC-DC变换器等。此外，该器件具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。由于其低门极电荷和低输出电容，IRFB17N50在高频开关应用中表现出色，有助于减小磁性元件尺寸并提升电源系统的整体能效。该器件还符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对环境友好型元器件的需求。

参数

型号：IRFB17N50
　　制造商：Infineon Technologies
　　系列：CoolMOS? C3
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：17A
　　脉冲漏极电流（IDM）：78A
　　最大功率耗散（PD）：209W
　　导通电阻 RDS(on) max @ VGS = 10V：170mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4V typical, 5V max @ 25°C
　　输入电容（Ciss）：1200pF @ 25V
　　输出电容（Coss）：180pF @ 25V
　　反向恢复时间（trr）：56ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C to +150°C
　　封装类型：TO-247

特性

IRFB17N50的核心优势在于其基于CoolMOS?技术的超结结构设计，这种创新架构通过精确控制P型和N型掺杂区域的交替排列，大幅提升了器件的电场分布均匀性，从而实现了在相同击穿电压下更低的导通损耗。相较于传统平面型MOSFET，该技术使得RDS(on)与Qg之间的乘积（FOM，品质因数）显著降低，意味着在维持高耐压的同时获得了更优的动态性能。这不仅提高了电源转换效率，也允许设计者在不牺牲性能的前提下缩小散热器尺寸或提高功率密度。该器件具备较低的总栅极电荷（Qg），通常仅为50nC左右，这意味着驱动电路所需的功耗更少，尤其适合用于高频开关电源中，例如服务器电源、光伏逆变器和LED驱动电源等。
　　另一个关键特性是其出色的热稳定性和长期可靠性。得益于TO-247封装良好的热阻特性（RthJC ≈ 0.6 K/W），IRFB17N50能够在高温环境下持续工作而不易发生热失控。内部芯片设计优化了电流分布，避免局部热点形成，延长了器件寿命。此外，该MOSFET具有较高的单脉冲雪崩能量额定值（EAS），表明其在遭遇电压尖峰或负载突变时具备较强的自我保护能力，适用于存在感性负载或电网波动的应用场景。
　　从电磁兼容性（EMC）角度考虑，IRFB17N50的寄生参数经过精细调校，输出电容和反馈电容较小，有助于减少开关过程中的振铃现象和噪声辐射，提升系统的EMI表现。同时，其快速的开关速度配合适当的栅极驱动设计，可实现零电压切换（ZVS）或准谐振操作模式，进一步降低开关损耗。总之，IRFB17N50凭借其高性能、高可靠性和成熟的制造工艺，成为中高端功率电子设计中的优选器件之一。

应用

IRFB17N50广泛应用于各类高效率、高频率的开关电源系统中。典型应用场景包括：AC-DC电源适配器、服务器和通信设备用开关电源（SMPS）、工业电机驱动中的辅助电源模块、太阳能微型逆变器及组串式逆变器的DC-DC升压级、不间断电源（UPS）系统、焊机电源、感应加热装置以及LED照明驱动电源等。由于其500V的额定电压等级，特别适用于通用输入电压范围（85–265V AC）下的离线式电源设计，在功率因数校正（PFC）升压变换器中作为主开关管使用尤为常见。此外，该器件也可用于硬开关和软开关拓扑结构，如双管正激、半桥、全桥以及LLC谐振转换器中，提供稳定可靠的功率控制能力。在电动汽车充电桩的次级侧电源管理单元中也有潜在应用价值。凭借其坚固耐用的设计和宽泛的工作温度范围，IRFB17N50同样适合部署于环境条件较为严苛的工业现场设备中。