型号：IRFB16N60
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600 V
　　漏极电流（Id）@25°C：13 A
　　漏极电流（Id）@100°C：8.4 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　功耗（Pd）：125 W
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：0.27 Ω
　　导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs, 最大值：0.32 Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：3 V ~ 5 V
　　输入电容（Ciss）：900 pF @ 25 V Vds
　　开关时间（开启时间）：45 ns
　　开关时间（关闭时间）：75 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

IRFB16N60的核心优势在于其采用的Superjunction结构，这种设计显著优化了传统MOSFET在高耐压条件下的导通电阻与击穿电压之间的权衡关系。通过在漂移区引入交替排列的P型和N型柱状结构，实现了更高的掺杂浓度而不影响击穿电压，从而大幅降低Rds(on)，提升器件的电流处理能力和效率。该特性使得IRFB16N60在硬开关和软开关拓扑中均能发挥出色性能，尤其是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中，能够有效减少传导损耗。其低栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化栅极驱动设计并提高系统响应速度。同时，较低的输出电容（Coss）减少了关断过程中的能量损耗，提升了高频操作下的整体能效。
　　此外，IRFB16N60具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了有效的散热路径，适合安装在散热片上以应对高功率密度应用场景。该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或电感反冲条件下承受一定的能量冲击，增强了系统的可靠性和耐用性。其快速恢复体二极管也降低了反向恢复电荷（Qrr），减少了在桥式电路或同步整流中的交叉导通风险。综合来看，IRFB16N60在保持高电压额定值的同时，实现了优异的静态与动态性能平衡，是中高端功率转换系统中理想的开关元件选择。

IRFB16N60广泛应用于多种高电压、高效率的电力电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS），特别是在服务器电源、通信电源和工业电源中作为主开关器件使用。它也常用于功率因数校正（PFC）级电路，尤其在连续导通模式（CCM）升压PFC拓扑中，凭借其低导通电阻和快速开关特性，显著提升系统效率并满足严格的能效标准。此外，该器件适用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），在这些应用中需要高耐压和高可靠性的开关元件来实现直流到交流的高效转换。电机驱动领域也是其重要应用场景之一，可用于中小型交流或直流电机的控制电路中，提供高效的功率切换能力。在LED照明驱动电源中，IRFB16N60可用于高频DC-DC或AC-DC变换器，支持高功率密度设计。其他应用还包括感应加热设备、电子镇流器以及各类高电压DC-DC转换器。得益于其坚固的封装和宽泛的工作温度范围，该器件也能适应严苛的工业环境。

IPB16N60S