时间：2025/5/10 14:39:45
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IRF9910TR 是一款 N 沣道沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由 Vishay 公司生产。该器件采用 TO-252 封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于各种开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。
该 MOSFET 的设计旨在提供出色的电气性能和可靠性，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产和组装。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
脉冲漏极电流：114A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷：18nC
总电容：1460pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-252
IRF9910TR 提供了以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，使其适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，能够降低开关损耗，特别适合高频操作。
4. 强大的热稳定性，允许在较高的环境温度下运行。
5. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
6. 表面贴装封装形式，简化了 PCB 设计和制造流程。
IRF9910TR 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 电机控制和驱动电路，例如无刷直流电机（BLDC）控制器。
3. DC-DC 转换器和 POL（Point of Load）调节器。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. 各种工业自动化设备中的负载切换和保护功能。
6. 通信电源和分布式电源架构中的功率分配模块。
IRF9911, IRF9912
